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1. WO2020105211 - 炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置

公開番号 WO/2020/105211
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/026260
国際出願日 02.07.2019
IPC
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 25/12 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
12基板保持体またはサセプタ
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 塩見 弘 SHIOMI, Hiromu
  • 渡邊 容子 WATANABE, Yoko
  • 和田 圭司 WADA, Keiji
  • 土井 秀之 DOI, Hideyuki
  • 寺尾 岳見 TERAO, Takemi
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2018-21722420.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEVICE FOR PRODUCING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF PERMETTANT LA PRODUCTION D'UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置
要約
(EN)
This device for producing a silicon carbide epitaxial substrate according to one embodiment is provided with: a rotating susceptor on which a silicon carbide substrate is mounted; and a cylindrical rotating shaft attached to the rotating susceptor. A shielding plate, which extends so as to intersect the central axis of the rotating shaft, is formed on the inner circumferential surface of the rotating shaft.
(FR)
L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif de production d'un substrat épitaxial de carbure de silicium comportant : un suscepteur rotatif sur lequel est monté un substrat de carbure de silicium ; et un arbre rotatif cylindrique fixé au suscepteur rotatif. Une plaque de blindage, qui s'étend de façon à croiser l'axe central de l'arbre rotatif, est formée sur la surface circonférentielle interne de l'arbre rotatif.
(JA)
本開示の一態様に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置は、炭化珪素基板が載置される回転サセプタと、回転サセプタに取り付けられた円筒形状の回転軸とを備える。回転軸の内周面には、回転軸の中心軸と交差するように延在している遮蔽板が形成されている。
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