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1. WO2020105160 - 接合基板の製造方法

公開番号 WO/2020/105160
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/043124
国際出願日 22.11.2018
IPC
C04B 37/02 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
37焼成セラミック物品と他の焼成セラミック物品または他の物品との加熱による接合
02金属物品との
B23K 1/00 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
1ハンダ付,例.ロー付,またはハンダ離脱
B23K 1/19 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
1ハンダ付,例.ロー付,またはハンダ離脱
19ハンダ付される材料の性質を考慮したもの
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/36 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
CPC
B23K 1/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
1Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
B23K 1/19
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
1Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
19taking account of the properties of the materials to be soldered
C04B 37/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
37Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
02with metallic articles
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 海老ヶ瀬 隆 EBIGASE Takashi
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING BONDED SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT LIÉ
(JA) 接合基板の製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for producing a bonded substrate, wherein after a copper plate has been joined to a silicon nitride ceramic base board by hot pressing, separation of the copper plate from another object is facilitated. At least one intermediate product is prepared. Each of the intermediate products includes a silicon nitride ceramic substrate, a copper plate, and a brazing material layer. The brazing material layer is present between the silicon nitride ceramic substrate and one of the main surfaces of the copper plate. Next, a coating containing a release agent is formed in such a manner that the other main surface of the copper plate is covered by the coating. Next, hot pressing is performed on at least one of the intermediate products. In this manner, the brazing material layer is transformed into a bonding layer whereby the copper plate is bonded to the silicon nitride ceramic substrate. In addition, each of the intermediate products is transformed into a bonded substrate comprising the silicon nitride ceramic substrate, the copper plate, and the bonding layer, wherein the copper plate has been bonded via the bonding layer to the silicon nitride ceramic substrate. Next, the coat is eliminated.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de production d'un substrat lié, dans lequel après qu'une plaque de cuivre ait été assemblée à une plaque de base de céramique de nitrure de silicium par pressage à chaud, la séparation de la plaque de cuivre à partir d'un autre objet est facilitée. Au moins un produit intermédiaire est préparé. Chacun des produits intermédiaires comprend un substrat en céramique de nitrure de silicium, une plaque de cuivre, et une couche de matériau de brasage. La couche de matériau de brasage est présente entre le substrat céramique de nitrure de silicium et l'une des surfaces principales de la plaque de cuivre. Ensuite, un revêtement contenant un agent de libération est formé de telle sorte que l'autre surface principale de la plaque de cuivre soit recouverte par le revêtement. Ensuite, un pressage à chaud est effectué sur au moins l'un des produits intermédiaires. De cette manière, la couche de matériau de brasage est transformée en une couche de liaison dans laquelle la plaque de cuivre est liée au substrat de céramique de nitrure de silicium. En outre, chacun des produits intermédiaires est transformé en un substrat lié comprenant le substrat de céramique de nitrure de silicium, la plaque de cuivre et la couche de liaison, la plaque de cuivre ayant été liée par l'intermédiaire de la couche de liaison au substrat de céramique de nitrure de silicium. Ensuite, le revêtement est éliminé.
(JA)
銅板が窒化ケイ素セラミックス基板にホットプレス接合された後に銅板を他の物体から分離することが容易になる接合基板の製造方法を提供する。少なくともひとつの中間品が準備される。各中間品は、窒化ケイ素セラミックス基板、銅板及びろう材層を備える。ろう材層は、銅板の一方の主面と窒化ケイ素セラミックス基板との間にある。続いて、離型剤を含む被覆が、当該被覆により銅板の他方の主面が覆われるように形成される。続いて、少なくともひとつの中間品に対してホットプレスが行われる。これにより、ろう材層が、銅板を窒化ケイ素セラミックス基板に接合する接合層に変化する。また、各中間品が、窒化ケイ素セラミックス基板、銅板及び接合層を備え銅板が接合層を介して窒化ケイ素セラミックス基板に接合されている接合基板に変化する。続いて、被覆が除去される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報