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1. WO2020105136 - リザボア素子及びニューロモルフィック素子

公開番号 WO/2020/105136
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/042977
国際出願日 21.11.2018
IPC
H01L 29/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
82装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
G06N 3/063 2006.01
G物理学
06計算;計数
N特定の計算モデルに基づくコンピュータ・システム
3生物学的モデルに基づくコンピュータシステム
02ニューラルネットワークモデルを用いるもの
06物理的な実現,すなわちニューラルネットワーク,ニューロンまたはニューロン構成要素のハードウェア実装
063電子的手段を用いるもの
CPC
G06N 3/063
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
3Computer systems based on biological models
02using neural network models
06Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
063using electronic means
H01L 29/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
82controllable by variation of the magnetic field applied to the device
出願人
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI Sumio
  • 荒 則彦 ARA Norihiko
  • 飯田 雅人 IIDA Masato
  • 荻野 彰広 OGINO Akihiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESERVOIR ELEMENT AND NEUROMORPHIC ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSERVOIR ET ÉLÉMENT NEUROMORPHIQUE
(JA) リザボア素子及びニューロモルフィック素子
要約
(EN)
A reservoir element according to one aspect of the present invention is provided with: a plurality of ferromagnetic layers that are stacked in a first direction and that are separated from one another; spin orbital torque wiring that faces at least one ferromagnetic layer among the plurality of ferromagnetic layers; and a spin conducting layer that faces the plurality of ferromagnetic layers, that connects at least between the two closest ferromagnetic layers among the plurality of ferromagnetic layers, and that conducts spins.
(FR)
Un élément de réservoir selon un aspect de la présente invention comporte : une pluralité de couches ferromagnétiques qui sont empilées dans une première direction et qui sont séparées les unes des autres ; un câblage de couple orbital avec spin qui fait face à au moins une couche ferromagnétique parmi la pluralité de couches ferromagnétiques ; et une couche conductrice de spin qui fait face à la pluralité de couches ferromagnétiques, qui se connecte au moins entre les deux couches ferromagnétiques les plus proches parmi la pluralité de couches ferromagnétiques, et qui conduit des spins.
(JA)
本発明の一態様にかかるリザボア素子は、第1方向に積層され、互いに離間した複数の強磁性層と、前記複数の強磁性層のうち少なくとも一つの強磁性層に面するスピン軌道トルク配線と、前記複数の強磁性層に面し、前記複数の強磁性層のうち最近接の2つの強磁性層の間を少なくとも繋ぎ、スピンを伝導するスピン伝導層と、を備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報