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1. WO2020105113 - 半導体装置および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/105113
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/042801
国際出願日 20.11.2018
IPC
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
CPC
H01L 21/3205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 小川 和也 OGAWA Kazuya
  • 大佐賀 毅 OSAGA Tsuyoshi
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device that enables reduction in the area of an inspection wire for detecting chipping, cracking, or the like. This semiconductor device includes, on the front surface, a valid region including a semiconductor element and an invalid region provided around the valid region, and includes, on the back surface, a semiconductor substrate including a back surface electrode, and an inspection wire provided in an invalid region on the front surface of the semiconductor substrate so as to surround the outer periphery of a valid region. One end of the inspection wire is brought into contact with a semiconductor layer which is provided in the invalid region on the front surface of the semiconductor substrate and which is electrically connected to the back surface electrode, and thus the inspection wire is electrically connected to the back surface electrode.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur qui permet de réduire la zone d'un fil d'inspection pour détecter un écaillage, une fissuration ou similaire. Ce dispositif à semi-conducteur comprend, sur la surface avant, une région valide comprenant un élément semi-conducteur et une région invalide disposée autour de la région valide, et comprend, sur la surface arrière, un substrat semi-conducteur comprenant une électrode de surface arrière, et un fil d'inspection disposé dans une région non valide sur la surface avant du substrat semi-conducteur de façon à entourer la périphérie externe d'une région valide. Une extrémité du fil d'inspection est amenée en contact avec une couche semi-conductrice qui est disposée dans la région non valide sur la surface avant du substrat semi-conducteur et qui est électriquement connectée à l'électrode de surface arrière, et ainsi le fil d'inspection est électriquement connecté à l'électrode de surface arrière.
(JA)
チッピングまたはクラック等を検出する検査用配線の面積を狭小化する半導体装置の提供を目的とする。半導体装置は、表面には、半導体素子を含む有効領域と有効領域の周囲に設けられる無効領域とを含み、裏面には、裏面電極を含む半導体基板と、有効領域の外周を囲むように、半導体基板の表面の無効領域に設けられる検査用配線と、を含む。検査用配線の一端が半導体基板の表面の無効領域に設けられた半導体層であって裏面電極に電気的に接続された半導体層に接触していることにより、検査用配線は裏面電極に電気的に接続されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報