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1. WO2020105075 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/105075
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/042615
国際出願日 19.11.2018
IPC
H01L 23/473 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
46流動流体による熱の移動によるもの
473液体を流すことによるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/473
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
46involving the transfer of heat by flowing fluids
473by flowing liquids
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 飯塚 新 IIZUKA Arata
  • 岡本 是英 OKAMOTO Korehide
  • 白▲濱▼ 亮弥 SHIRAHAMA Ryoya
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
A first heat sink (51) has a first inner surface (FI1), a first outer surface (FO1), and a first through-hole (TH1). A second heat sink (52) has a second inner surface (FI2) disposed at an interval from the first inner surface (FI1) of the first heat sink (51), a second outer surface (FO2) opposite to the second inner surface (FI2), and a second through-hole (TH2). A semiconductor element (710) is disposed in the interval between the first inner surface (FI1) of the first heat sink (51) and the second inner surface (FI2) of the second heat sink (52). A seal material (70) seals the semiconductor element (710) in the interval between the first inner surface (FI1) and the second inner surface (FI2). A first hollow pipe (30) interconnecting the first through-hole (TH1) and the second through-hole (TH2) is made of metal.
(FR)
L'invention concerne un premier dissipateur thermique (51) ayant une première surface interne (FI1), une première surface externe (FO1) et un premier trou traversant (TH1). Un second dissipateur thermique (52) a une seconde surface interne (FI2) disposée à un intervalle de la première surface interne (FI1) du premier dissipateur thermique (51), une seconde surface externe (FO2) opposée à la seconde surface interne (FI2), et un second trou traversant (TH2). Un élément semi-conducteur (710) est disposé dans l'intervalle entre la première surface interne (FI1) du premier dissipateur thermique (51) et la seconde surface interne (FI2) du second dissipateur thermique (52). Un matériau d'étanchéité (70) scelle l'élément semi-conducteur (710) dans l'intervalle entre la première surface interne (FI1) et la seconde surface interne (FI2). Un premier tuyau creux (30) interconnectant le premier trou traversant (TH1) et le second trou traversant (TH2) est en métal.
(JA)
第1のヒートシンク(51)は、第1の内面(FI1)と第1の外面(FO1)とを有しており、第1の貫通孔(TH1)を有している。第2のヒートシンク(52)は、第1のヒートシンク(51)の第1の内面(FI1)との間に間隔を開けて配置された第2の内面(FI2)と第2の内面(FI2)と反対の第2の外面(FO2)とを有しており、第2の貫通孔(TH2)を有している。半導体素子(710)は、第1のヒートシンク(51)の第1の内面(FI1)と第2のヒートシンク(52)の第2の内面(FI2)との間の間隔内に配置されている。封止材(70)は、第1の内面(FI1)と第2の内面(FI2)との間の間隔内において半導体素子(710)を封止している。第1の中空管(30)は、第1の貫通孔(TH1)と第2の貫通孔(TH2)とを互いにつなぎ、金属からなる。
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