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1. WO2020104891 - 半導体装置、蓄電装置、及び電子機器

公開番号 WO/2020/104891
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/059681
国際出願日 12.11.2019
IPC
G01R 19/165 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
19電流または電圧を測定し,またはそれの存在または符号を指示するための装置
165電流または電圧が所定のレベル以上であるかまたは以下であるか,あるいは所定の範囲内にあるかまたは範囲外にあるかの指示
H01M 10/44 2006.01
H電気
01基本的電気素子
M化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
10二次電池;その製造
42二次電池または二次半電池の修理または保守のための方法または装置
44充電または放電のための方法
H01M 10/48 2006.01
H電気
01基本的電気素子
M化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
10二次電池;その製造
42二次電池または二次半電池の修理または保守のための方法または装置
48状態,例.電解液の液位または密度,の測定,試験または指示のための装置と結合した蓄電池
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H02J 7/00 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
J電力給電または電力配電のための回路装置または方式;電気エネルギーを蓄積するための方式
7電池の充電または減極または電池から負荷への電力給電のための回路装置
H02J 7/02 2016.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
J電力給電または電力配電のための回路装置または方式;電気エネルギーを蓄積するための方式
7電池の充電または減極または電池から負荷への電力給電のための回路装置
02コンバータにより交流幹線から電池を充電するためのもの
CPC
G01R 19/165
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
19Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
165Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
G01R 31/396
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
36Arrangements for testing, measuring or monitoring the electrical condition of accumulators or electric batteries, e.g. capacity or state of charge [SoC]
396Acquisition or processing of data for testing or for monitoring individual cells or groups of cells within a battery
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01M 10/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
10Secondary cells; Manufacture thereof
42Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
44Methods for charging or discharging
H01M 10/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
10Secondary cells; Manufacture thereof
42Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
48Accumulators combined with arrangements for measuring, testing or indicating condition, e.g. level or density of the electrolyte
H02J 7/00
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
7Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 高橋圭 TAKAHASHI, Kei
  • 岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki
  • 伊藤港 ITO, Minato
  • 石津貴彦 ISHIZU, Takahiko
優先権情報
2018-21925022.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER STORAGE DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉNERGIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、蓄電装置、及び電子機器
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device that inspects and/or monitors each cell of a battery pack. The semiconductor device comprises a hysteresis comparator and a circuit. The circuit has a function to set a high level-side threshold voltage and a low level-side threshold voltage of the hysteresis comparator. The circuit includes first and second capacitive elements. A first terminal of the first capacitive element is electrically connected to a high level-side reference potential input terminal of the hysteresis comparator, and a first terminal of the second capacitive element is electrically connected to a low level-side reference potential input terminal of the hysteresis comparator. After a first reference potential is input to the high level-side reference potential input terminal and a second reference potential is input to the low level-side reference potential input terminal, the potential of the first terminal of each of the first and second capacitive elements is changed by electrically connecting a negative electrode of a cell to the second terminal of each of the first and second capacitive elements.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui inspecte et/ou surveille chaque cellule d'un bloc-batterie. Le dispositif à semi-conducteur comprend un comparateur à hystérésis et un circuit. Le circuit a une fonction pour ajuster une tension de seuil côté haut niveau et une tension de seuil côté bas niveau du comparateur à hystérésis. Le circuit comprend des premier et second éléments capacitifs. Une première borne du premier élément capacitif est connectée électriquement à une borne d'entrée de potentiel de référence côté haut du comparateur à hystérésis, et une première borne du second élément capacitif est connectée électriquement à une borne d'entrée de potentiel de référence côté bas niveau du comparateur à hystérésis. Après qu'un premier potentiel de référence ait été entré dans la borne d'entrée de potentiel de référence côté haut niveau et qu'un second potentiel de référence ait été entré dans le terminal d'entrée de potentiel de référence côté bas niveau, le potentiel de la première borne de chacun des premier et second éléments capacitifs est modifié par connexion électrique d'une électrode négative d'une cellule à la seconde borne de chacun des premier et second éléments capacitifs.
(JA)
組電池が備えるそれぞれのセルを検査及び/又は監視する半導体装置を提供する。 ヒステリシスコンパレータと、回路と、を有する半導体装置であって、回路は、当該ヒステリシス コンパレータの高レベル側しきい値電圧と低レベル側しきい値電圧を設定する機能を有する。回路 は、第1、第2容量素子を有し、第1容量素子の第1端子は、ヒステリシスコンパレータの高レベ ル側参照電位入力端子に電気的に接続され、第2容量素子の第1端子は、ヒステリシスコンパレー タの低レベル側参照電位入力端子に電気的に接続される。高レベル側参照電位入力端子に第1参照 電位を入力し、低レベル側参照電位入力端子に第2参照電位を入力した後に、第1、第2容量素子 のそれぞれの第2端子に、セルの負極を電気的に接続することで、第1、第2容量素子のそれぞれ の第1端子の電位を変動させる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報