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1. WO2020104890 - 半導体装置および電池パック

公開番号 WO/2020/104890
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/059679
国際出願日 12.11.2019
IPC
H01M 10/42 2006.01
H電気
01基本的電気素子
M化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
10二次電池;その製造
42二次電池または二次半電池の修理または保守のための方法または装置
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 27/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 27/088 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 27/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01M 10/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
10Secondary cells; Manufacture thereof
42Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 高橋圭 TAKAHASHI, Kei
  • 岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki
  • 伊藤港 ITO, Minato
  • 石津貴彦 ISHIZU, Takahiko
  • 井上広樹 INOUE, Hiroki
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
優先権情報
2018-21923222.11.2018JP
2018-22704004.12.2018JP
2018-23705519.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND BATTERY PACK
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET BLOC-BATTERIE
(JA) 半導体装置および電池パック
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device with reduced power consumption. This semiconductor device includes a node ND1, a node ND2, resistors, capacitors, and a comparison circuit. The resistors are electrically connected in series between the positive electrode or the negative electrode of a secondary battery and a first terminal. The resistors have a function for converting current flowing between the positive electrode or the negative electrode of the secondary battery and the first terminal to a first voltage. The first voltage is added to the voltage of the node ND2 via a capacitor. The comparison circuit has a function for comparing the voltage of the node ND1 and the voltage of the node ND2. The comparison circuit outputs a signal for notifying that an overcurrent has been detected if the voltage of the node ND2 is greater than the voltage of the node ND1.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à consommation d'énergie réduite. Ce dispositif à semi-conducteur comprend un nœud ND1, un nœud ND2, des résistances, des condensateurs et un circuit de comparaison. Les résistances sont connectées électriquement en série entre l'électrode positive ou l'électrode négative d'une batterie secondaire et une première borne, et ont une fonction de conversion du courant circulant entre l'électrode positive ou négative de la batterie secondaire et la première borne en une première tension. La première tension est ajoutée à la tension du nœud ND2 par l'intermédiaire d'un condensateur. Le circuit de comparaison a une fonction de comparaison de la tension du nœud ND1 et de la tension du nœud ND2. Le circuit de comparaison émet un signal destiné à notifier qu'une surintensité a été détectée si la tension du nœud ND2 est supérieure à la tension du nœud ND1.
(JA)
消費電力が低減された半導体装置を提供する。 ノードND1と、ノードND2と、抵抗と、容量と、比較回路と、を有する半導体装置であって、 抵抗は、二次電池の正極または負極の一方と、第1端子の間に、直列かつ電気的に接続される。抵 抗は、二次電池の正極または負極の一方と第1端子の間に流れる電流を第1電圧に変換する機能を 有する。第1電圧は、容量を介してノードND2の電圧に加算される。比較回路は、ノードND1 の電圧とノード ND2の電圧を比較する機能を有する。比較回路は、ノードND2の電圧がノード ND1の電圧よりも大きい場合、過電流を検知したことを知らせる信号を出力する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報