処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020104885 - 二次電池の異常検知装置、および、半導体装置

公開番号 WO/2020/104885
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/059650
国際出願日 11.11.2019
IPC
G01R 19/165 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
19電流または電圧を測定し,またはそれの存在または符号を指示するための装置
165電流または電圧が所定のレベル以上であるかまたは以下であるか,あるいは所定の範囲内にあるかまたは範囲外にあるかの指示
H01L 21/8234 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 27/088 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G01R 31/36 2020.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
36蓄電池または電池の電気的状態,例.容量または充電状態,の試験,測定または監視のための装置
H02J 7/00 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
J電力給電または電力配電のための回路装置または方式;電気エネルギーを蓄積するための方式
7電池の充電または減極または電池から負荷への電力給電のための回路装置
CPC
G01R 19/165
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
19Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
165Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
G01R 31/36
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
36Arrangements for testing, measuring or monitoring the electrical condition of accumulators or electric batteries, e.g. capacity or state of charge [SoC]
G01R 31/50
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
50Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松嵜隆徳 MATSUZAKI, Takanori
  • 高橋圭 TAKAHASHI, Kei
  • 石津貴彦 ISHIZU, Takahiko
  • 岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki
  • 伊藤港 ITO, Minato
優先権情報
2018-21888522.11.2018JP
2018-24009321.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ABNORMALITY DETECTION DEVICE FOR SECONDARY BATTERY AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION D'ANOMALIE POUR BATTERIE RECHARGEABLE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 二次電池の異常検知装置、および、半導体装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device capable of detecting a micro short circuit of a secondary battery. The semiconductor device comprises: a first source follower; a second source follower; a transistor; a capacitive element; and a comparator. A negative electrode potential and a positive electrode potential of the secondary battery are supplied to the semiconductor device, a first potential is input to the first source follower, and a second potential is input to the second source follower. A signal for controlling the conductive state of the transistor is input to the gate of the transistor, and the output potential of the first source follower related to the potential between the positive electrode and the negative electrode of the secondary battery is sampled. By comparing the sampled potential with the output potential of the second source follower, the comparator can handle secondary batteries in which the potential between the positive electrode and the negative electrode fluctuates due to charging and discharging.
(FR)
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur capable de détecter un court-circuit d'une batterie rechargeable. Le dispositif semi-conducteur comprend une première source suiveuse, une seconde source suiveuse et un comparateur. Un potentiel d'électrode négative et un potentiel d'électrode positive de la batterie rechargeable sont appliqués au dispositif semi-conducteur, un premier potentiel est entré dans la première source suiveuse, et un second potentiel est entré dans la seconde première source suiveuse. Un signal de commande de l'état conducteur du transistor est appliqué à la grille du transistor, et le potentiel de sortie de la première source suiveuse associé au potentiel entre l'électrode positive et l'électrode négative de la batterie rechargeable est échantillonné. En comparant le potentiel échantillonné avec le potentiel de sortie de la seconde source suiveuse, le comparateur peut gérer des batteries rechargeables dans lesquelles le potentiel entre l'électrode positive et l'électrode négative fluctue en raison de la charge et de la décharge.
(JA)
二次電池のマイクロショートを検知できる、半導体装置を提供する。 半導体装置は、第1ソースフォロワと、第2ソースフォロワと、トランジスタと、容量素子と、コ ンパレータとを有する。半導体装置には、二次電池の負極電位および正極電位が供給され、第1ソ ースフォロワには第1電位が入力され、第2ソースフォロワには第2電位が入力される。トランジ スタのゲートには、トランジスタの導通状態を制御する信号が入力され、二次電池の正極負極間電 位に関連した、第1ソースフォロワの出力電位をサンプリングする。コンパレータは、サンプリン グされた電位と第2ソースフォロワの出力電位とを比較することで、充放電により正極負極間電位 が変動する二次電池にも対応できる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報