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1. WO2020100997 - 半導体装置および製造方法

公開番号 WO/2020/100997
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044759
国際出願日 14.11.2019
IPC
H01L 21/265 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
265イオン注入法
H01L 21/322 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
322半導体本体の内部性質の改変,例.内部不完全性の形成
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 29/739 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70バイポーラ装置
72トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739電界効果により制御されるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
出願人
  • 富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 阿形 泰典 AGATA Yasunori
  • 田村 隆博 TAMURA Takahiro
  • 安喰 徹 AJIKI Toru
代理人
  • 龍華国際特許業務法人 RYUKA IP LAW FIRM
優先権情報
2018-21554816.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置および製造方法
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device, being a semiconductor device that comprises a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate has a hydrogen-containing region that contains hydrogen, the hydrogen-containing region contains helium in at least a portion of a region, the hydrogen chemical concentration distribution in the depth direction of the hydrogen-containing region has one or more hydrogen concentration valleys, and in each of the hydrogen concentration valleys, the hydrogen chemical concentration is 1/10 or greater than the oxygen chemical concentration. In at least one of the hydrogen concentration valleys, the hydrogen chemical concentration may be the same or greater than the helium chemical concentration.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs, qui est un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un substrat semi-conducteur, le substrat semi-conducteur ayant une région contenant de l'hydrogène qui contient de l'hydrogène, la région contenant de l'hydrogène contenant de l'hélium dans au moins une partie d'une région, la distribution de concentration chimique en hydrogène dans la direction de profondeur de la région contenant de l'hydrogène ayant une ou plusieurs vallées de concentration en hydrogène, et dans chacune des vallées de concentration en hydrogène, la concentration chimique en hydrogène étant de 1/10 ou supérieure à la concentration chimique en oxygène. Dans au moins l'une des vallées de concentration en hydrogène, la concentration chimique en hydrogène peut être identique ou supérieure à la concentration chimique en hélium.
(JA)
半導体基板を備える半導体装置であって、半導体基板は、水素を含む水素含有領域を有し、水素含有領域は、少なくとも一部の領域にヘリウムを含み、水素含有領域の深さ方向における水素化学濃度分布は1つ以上の水素濃度谷部を有し、それぞれの水素濃度谷部において、水素化学濃度が酸素化学濃度の1/10以上である半導体装置を提供する。少なくとも一つの水素濃度谷部において、水素化学濃度がヘリウム化学濃度以上であってよい。
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