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1. WO2020100834 - 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス

公開番号 WO/2020/100834
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044196
国際出願日 11.11.2019
IPC
C03C 3/085 2006.01
C化学;冶金
03ガラス;鉱物またはスラグウール
Cガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグ製の繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
3ガラスの組成物
04シリカを含むもの
076重量比で40%から90%シリカを有するもの
083酸化アルミニウムまたは鉄化合物を含むもの
085二価金属の酸化物を含むもの
C03C 4/16 2006.01
C化学;冶金
03ガラス;鉱物またはスラグウール
Cガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグ製の繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
4特殊性質をもつガラス用組成物
16誘電性ガラス用
出願人
  • AGC株式会社 AGC INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 小野 和孝 ONO Kazutaka
  • 松尾 優作 MATSUO Yusaku
  • 野村 周平 NOMURA Shuhei
代理人
  • 特許業務法人栄光特許事務所 EIKOH PATENT FIRM, P.C.
優先権情報
2018-21352614.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GLASS SUBSTRATE FOR HIGH FREQUENCY DEVICE, LIQUID CRYSTAL ANTENNA AND HIGH FREQUENCY DEVICE
(FR) SUBSTRAT EN VERRE POUR DISPOSITIF HAUTE FRÉQUENCE, ANTENNE EN CRISTAUX LIQUIDES ET DISPOSITIF HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
要約
(EN)
The present invention pertains to a glass substrate for a high frequency device, said glass substrate comprising, in mol percent on an oxide base, 0.1-13% of an alkaline earth metal oxide, 1-40% of Al2O3+B2O3 wherein the ratio Al2O3/(Al2O3+B2O3) is 0-0.45, and 0.1-1.0% of a trace component such as Sc2O3 or 1.5-4.0% of ZnO2+ZrO2, containing SiO2 as a main component, and having a dielectric loss tangent at 35 GHz of 0.007 or less.
(FR)
La présente invention concerne un substrat en verre pour un dispositif haute fréquence, ledit substrat en verre comprenant, en pourcentage molaire par rapport aux oxydes, 0,1 à 13 % d'un oxyde de métal alcalino-terreux, 1 à 40 % de Al2O3 + B2O3, le rapport Al2O3/(Al2O3 + B2O3) variant de 0 à 0,45, et 0,1 à 1,0 % d'un composant à l'état de trace tel que Sc2O3 ou 1,5 à 4,0 % de ZnO2 + ZrO2, contenant du SiO2 en tant que composant principal, et présentant une tangente de perte diélectrique à 35 GHz égale ou inférieure à 0,007.
(JA)
本発明は、酸化物基準のモル百分率での含有量が、アルカリ土類金属酸化物:0.1~13%、Al+B:1~40%、Al/(Al+B):0~0.45、並びに、Sc等の微量成分:0.1~1.0%、または、ZnO+ZrO:1.5~4.0%、を満たし、SiOを主成分とし、35GHzにおける誘電正接が0.007以下である、高周波デバイス用ガラス基板に関する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報