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1. WO2020100696 - 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム

公開番号 WO/2020/100696
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043564
国際出願日 06.11.2019
IPC
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
C09J 7/25 2018.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
7フィルム状または箔状の接着剤
20担体に特徴のあるもの
22プラスチック;金属化プラスチック
25炭素―炭素不飽和結合のみが関与する反応以外によって得られる高分子化合物に基づくもの
C09J 7/35 2018.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
7フィルム状または箔状の接着剤
30接着剤組成物に特徴のあるもの
35熱活性型
C09J 201/00 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201不特定の高分子化合物に基づく接着剤
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
出願人
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 佐藤 慎 SATOU Makoto
  • 茶花 幸一 CHABANA Koichi
  • 谷口 徹弥 TANIGUCHI Tetsuya
  • 林出 明子 HAYASHIDE Akiko
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
2018-21203912.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET FILM ADHÉSIF POUR TRAITEMENT DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム
要約
(EN)
A method for manufacturing a semiconductor device, having: a step for preparing a semiconductor wafer that has a plurality of electrodes on one of the main surfaces, and affixing to the side of the semiconductor wafer on which the electrodes are provided an adhesive film for semiconductor wafer processing comprising a back grinding tape including a base and an adhesive agent layer, and a bonding agent layer formed on the adhesive agent layer, and obtaining a laminate; a step for grinding the semiconductor wafer to make the semiconductor wafer thinner; a step for dicing the thinned semiconductor wafer and the bonding agent layer to divide the semiconductor chip provided with the bonding agent layer into individual pieces; and a step for electrically connecting the electrode of the semiconductor chip provided with the bonding agent layer to another semiconductor chip or the electrode of a wiring circuit board, wherein the thickness of the back grinding tape is 75 to 300 µm, and the thickness of the adhesive agent layer is 3 or more times the thickness of the bonding agent layer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant : une étape consistant à préparer une tranche de semi-conducteur qui a une pluralité d'électrodes sur l'une des surfaces principales, et à fixer sur le côté de la tranche de semi-conducteur sur lequel les électrodes sont fournies un film adhésif pour le traitement de tranche de semi-conducteur comprenant une bande de meulage arrière comprenant une base et une couche d'agent adhésif, et une couche d'agent de liaison formée sur la couche d'agent adhésif, et à obtenir un stratifié ; une étape consistant à meuler la tranche de semi-conducteur pour rendre la tranche de semi-conducteur plus mince ; une étape consistant à découper en dés la tranche de semi-conducteur amincie et la couche d'agent de liaison pour diviser la puce semi-conductrice pourvue de la couche d'agent de liaison en morceaux individuels ; et une étape consistant à connecter électriquement l'électrode de la puce semi-conductrice pourvue de la couche d'agent de liaison à une autre puce semi-conductrice ou à l'électrode d'une carte de circuit imprimé de câblage, l'épaisseur de la bande de meulage arrière étant de 75 à 300 µm, et l'épaisseur de la couche d'agent adhésif étant supérieure ou égale à 3 fois l'épaisseur de la couche d'agent de liaison.
(JA)
主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの電極が設けられている側に、基材及び粘着剤層を含むバックグラインドテープと、粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを貼り付け、積層体を得る工程と、半導体ウエハを研削して半導体ウエハを薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウエハ及び接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、バックグラインドテープの厚さが75~300μmであり、粘着剤層の厚さが接着剤層の厚さの3倍以上である、半導体装置の製造方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報