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1. WO2020100633 - 基板処理方法及び基板処理装置

公開番号 WO/2020/100633
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043074
国際出願日 01.11.2019
IPC
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/26 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 藤井 寛之 FUJII, Hiroyuki
  • 村松 誠 MURAMATSU, Makoto
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
優先権情報
2018-21291913.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法及び基板処理装置
要約
(EN)
Provided is a substrate processing method for processing a substrate for processing, the substrate processing method comprising: a step for forming an organic silicon oxide film on the substrate for processing as an underlayer for a resist film using a spin coating method; a step for irradiating the underlayer with an energy ray; and a step for forming the resist film on the underlayer that has been irradiated with the energy ray.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat servant à traiter un substrat à traiter, le procédé de traitement de substrat comprenant : une étape de formation d'un film d'oxyde de silicium organique sur le substrat à traiter en tant que film de sous-couche pour un film de réserve à l'aide du procédé de revêtement par centrifugation; une étape d'irradiation du film de sous-couche avec un rayon d'énergie; et une étape de formation du film de réserve sur le film de sous-couche irradié par le rayon d'énergie.
(JA)
処理対象基板を処理する基板処理方法であって、前記処理対象基板上に、前記レジスト膜に対する下地膜として有機含有シリコン酸化膜をスピン塗布法により形成する工程と、前記下地膜にエネルギー線を照射する工程と、前記エネルギー線が照射された前記下地膜上にレジスト膜を形成する工程と、を有する。
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