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1. WO2020100558 - 基板処理装置および基板処理方法

公開番号 WO/2020/100558
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041968
国際出願日 25.10.2019
IPC
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松井 浩彬 MATSUI Hiroakira
  • 杉岡 真治 SUGIOKA Shinji
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2018-21514616.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約
(EN)
In order to provide a substrate processing technique in which crystallization of a component eluted from a substrate in a processing liquid hardly occurs in a path for discharging the processing liquid from a processing unit to the outside of a substrate processing apparatus, this substrate processing apparatus is provided with a processing unit, a liquid supply unit, a liquid discharging unit, a liquid replenishing unit, and a control unit. The processing unit performs an etching process on the substrate with the processing liquid. The liquid supply unit has a liquid supply pipe part which supplies the processing liquid to the processing unit. The liquid discharging unit has a liquid discharging pipe part for discharging a first processing liquid, which has been used in the etching process for the substrate by the processing unit, from the processing unit to the outside of the substrate processing apparatus. The liquid replenishing unit has a liquid replenishing pipe part connected to the liquid discharging unit in order to generate a mixed solution by replenishing the liquid discharging unit with a second processing liquid having lower concentration of a dissolved substrate-constituting component than the first processing liquid, and mixing the first processing liquid and the second processing liquid. The control unit controls the supply of the processing liquid to the processing unit by the liquid supply unit and the replenishment of the second processing liquid to the liquid discharging unit by the liquid replenishing unit.
(FR)
Afin de fournir une technique de traitement de substrat dans laquelle la cristallisation d'un constituant élué à partir d'un substrat dans un liquide de traitement se produit difficilement dans un trajet d'évacuation du liquide de traitement d'une unité de traitement vers l'extérieur d'un appareil de traitement de substrat, l'invention concerne un appareil de traitement de substrat pourvu d'une unité de traitement, d'une unité d'alimentation en liquide, d'une unité d'évacuation de liquide, d'une unité de remplissage de liquide et d'une unité de commande. L'unité de traitement applique un traitement de gravure au substrat au moyen du liquide de traitement. L'unité d'alimentation en liquide comporte une partie conduite d'alimentation en liquide qui alimente en liquide de traitement l'unité de traitement. L'unité d'évacuation de liquide comporte une partie conduite d'évacuation de liquide servant à évacuer un premier liquide de traitement, qui a été utilisé lors du traitement de gravure du substrat par l'unité de traitement, de l'unité de traitement vers l'extérieur de l'appareil de traitement de substrat. L'unité de remplissage de liquide comporte une partie conduite de remplissage de liquide raccordée à l'unité d'évacuation de liquide afin de générer une solution mélangée par remplissage de l'unité d'évacuation de liquide avec un second liquide de traitement ayant une concentration d'un constituant dissous de constitution de substrat plus faible que celle du premier liquide de traitement, et par mélange du premier liquide de traitement et du second liquide de traitement. L'unité de commande commande l'alimentation du liquide de traitement dans l'unité de traitement par l'unité d'alimentation en liquide et le remplissage du second liquide de traitement dans l'unité d'évacuation de liquide par l'unité de remplissage de liquide.
(JA)
処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい基板処理技術を提供するために、基板処理装置は、処理部、液供給部、液排出部、液補充部および制御部を備える。処理部は、処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。液供給部は、処理部に処理液を供給する液供給管部を有する。液排出部は、処理部において基板に対するエッチング処理に使用された後の第1処理液を処理部から基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する。液補充部は、基板を構成する成分の溶解濃度が第1処理液よりも低い第2処理液を液排出部に補充することで第1処理液と第2処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、液排出部に接続された液補充管部を有する。制御部は、液供給部による処理部への処理液の供給と、液補充部による液排出部への前記第2処理液の補充と、を制御する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報