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1. WO2020100449 - マイクロLED表示装置及びマイクロLED表示装置の配線方法

公開番号 WO/2020/100449
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038231
国際出願日 27.09.2019
IPC
G09F 9/33 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
33(個々の要素が)半導体装置であるもの,例.ダイオード
G09F 9/00 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 33/62 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
62半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品,例.リードフレーム,ワイヤボンドまたはハンダ
出願人
  • 株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 鈴木 良和 SUZUKI Yoshikazu
代理人
  • 特許業務法人 英知国際特許事務所 EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.
優先権情報
2018-21522116.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MICRO-LED DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR WIRING MICRO-LED DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À MICRO-DEL ET PROCÉDÉ DE CÂBLAGE DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE À MICRO-DEL
(JA) マイクロLED表示装置及びマイクロLED表示装置の配線方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to prevent a decrease in light emission efficiency with respect to the size of micro-LEDs in a micro-LED display device in which micro-LEDs are arrayed in a matrix and matrix wires are connected to a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer. The micro-LED display device comprises: multiple first electrode wires formed on a substrate, extending in the X direction, and arranged in parallel in the Y direction; micro-LEDs having a vertical structure in which a first semiconductor layer, a light emitting layer, and a second semiconductor layer are laminated along the Z direction intersecting the surface of the substrate, said first semiconductor layer being connected to the first electrode wires; an insulating film formed on the substrate whereon the first electrode wires are formed and having an opening in the light emission region of the micro-LED; and multiple second electrode wires formed on the insulating film so as to be connected to the side surface of the second semiconductor layer, extending in the Y direction, and arranged in parallel in the X direction.
(FR)
Le but de la présente invention est d'empêcher une diminution de l'efficacité d'émission de lumière par rapport à la taille de micro-DEL dans un dispositif d'affichage à micro-DEL dans lequel des micro-DEL sont disposées en réseau dans une matrice et des fils de matrice sont connectés à une couche semi-conductrice de type p et à une couche semi-conductrice de type n. Le dispositif d'affichage à micro-DEL comprend : de multiples premiers fils d'électrode formés sur un substrat, s'étendant dans la direction X, et agencés en parallèle dans la direction Y ; des micro-DEL présentant une structure verticale dans laquelle une première couche semi-conductrice, une couche électroluminescente et une seconde couche semi-conductrice sont stratifiées le long de la direction Z croisant la surface du substrat, ladite première couche semi-conductrice étant connectée aux premiers fils d'électrode ; un film isolant formé sur le substrat sur lequel les premiers fils d'électrode sont formés et présentant une ouverture dans la région d'émission de lumière de la micro-DEL ; et de multiples seconds fils d'électrode formés sur le film isolant de façon à être connectés à la surface latérale de la seconde couche semi-conductrice, s'étendant dans la direction Y et agencés en parallèle dans la direction X.
(JA)
マイクロLEDをマトリクス状に配置してp型半導体層とn型半導体層にマトリクス配線をそれぞれ接続するマイクロLED表示装置において、マイクロLEDの寸法に対する光出射効率を低下させないようにする。マイクロLED表示装置は、基板上に形成され、X方向に延設されると共にY方向に並列される複数の第1電極配線と、基板の表面に交差するZ方向に沿って第1半導体層と発光層と第2半導体層が積層された縦型構造を備え、第1半導体層が第1電極配線上に接続されるマイクロLEDと、第1電極配線が形成された基板上に形成され、マイクロLEDの光出射領域を開口した絶縁膜と、第2半導体層の側面に接続されるように絶縁膜上に形成され、Y方向に延設されると共にX方向に並列される複数の第2電極配線とを備える。
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