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1. WO2020100302 - マイクロLEDデバイスおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/100302
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/042504
国際出願日 16.11.2018
IPC
H01L 33/50 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
50波長変換要素
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
H01L 33/36 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
出願人
  • 堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MICRO LED DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) マイクロLEDデバイスおよびその製造方法
要約
(EN)
This micro LED device comprises a crystal growth substrate (100) and a front plane (200) that includes: a plurality of micro LEDs (220) each having a first semiconductor layer (21) having a first conductivity and a second semiconductor layer (22) having a second conductivity; and element separation regions (240). The element separation regions have metal plugs (24) electrically connected to the second semiconductor layer. This device comprises: an intermediate layer (300); a back plane (400) formed upon the intermediate layer; a bank layer (640) supported by the substrate and prescribing a plurality of pixel openings (645) having ultraviolet or bluish purple light emitted from the plurality of micro LEDs incident thereto; and a quantum dot red phosphor (65R), a quantum dot green phosphor (65G), and a quantum dot (65B) blue phosphor that are each arranged in the plurality of pixel openings in the bank layer.
(FR)
La présente invention porte sur un dispositif à micro-DEL, comprenant un substrat de croissance cristalline (100) et un plan avant (200) qui comprend : une pluralité de micro-DEL (220) dotées chacune d'une première couche semi-conductrice (21) ayant une première conductivité et d'une seconde couche semi-conductrice (22) ayant une seconde conductivité ; et des régions de séparation d'éléments (240). Les régions de séparation d'éléments présentent des fiches métalliques (24) électriquement connectées à la seconde couche semi-conductrice. Ce dispositif comprend : une couche intermédiaire (300) ; un plan arrière (400) formé sur la couche intermédiaire ; une couche de bord (640) supportée par le substrat et prescrivant une pluralité d'ouvertures de pixel (645) sur lesquelles une lumière violette ultraviolette ou pourpre bleutée émise par la pluralité de micro-DEL est incidente ; et un luminophore rouge à points quantiques (65R), un luminophore vert à points quantiques (65G), et un luminophore bleu à points quantiques (65B) qui sont chacun disposés dans la pluralité d'ouvertures de pixel dans la couche de bord.
(JA)
本開示のマイクロLEDデバイスは、結晶成長基板(100)と、それぞれが第1導電型の第1半導体層(21)および第2導電型の第2半導体層(22)を有する複数のマイクロLED(220)、ならびに素子分離領域(240)を含むフロントプレーン(200)とを備える。素子分離領域は、第2半導体層に電気的に接続された金属プラグ(24)を有する。このデバイスは、中間層(300)と、中間層上に形成されたバックプレーン(400)と、基板に支持され、複数のマイクロLEDから放射された紫外または青紫の光がそれぞれ入射する複数の画素開口部(645)を規定するバンク層(640)と、バンク層の複数の画素開口部にそれぞれ配置された、量子ドットの赤蛍光体(65R)、量子ドットの緑蛍光体(65G)、および量子ドット(65B)の青蛍光体とを備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報