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1. WO2020100299 - マイクロLEDデバイスおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/100299
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/042501
国際出願日 16.11.2018
IPC
H01L 33/38 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
38特定の形状
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
H01L 33/40 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
40材料
出願人
  • 堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MICRO LED DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) マイクロLEDデバイスおよびその製造方法
要約
(EN)
A micro LED device according to the present invention is provided with: a crystal growth substrate (100); and a front plane (200) that includes a plurality of micro LEDs (220) each having a first conductivity-type first semiconductor layer (21) and a second conductivity-type second semiconductor layer (22), and that includes element separation regions (240) positioned between the micro LEDs. The element separation regions each have at least one metal plug (250) that is electrically connected to the corresponding second semiconductor layer. This device is provided with: an intermediate layer (300) that includes first contact electrodes (31) electrically connected to the first semiconductor layers and second contact electrodes (32) connected to the metal plugs; and a back plane (400) that is formed on the intermediate layer. The metal plugs have side surfaces (250S) that surround the micro LEDs and that are separated from the first and second semiconductor layers of the respective micro LEDs.
(FR)
Un dispositif à micro-DEL selon la présente invention comprend : un substrat de croissance cristalline (100) ; et un plan avant (200) qui comprend une pluralité de micro-DEL (220) ayant chacune une première couche semi-conductrice de premier type de conductivité (21) et une seconde couche semi-conductrice de second type de conductivité (22), et qui comprend des régions de séparation d'éléments (240) positionnées entre les micro-DEL. Les régions de séparation d'éléments ont chacune au moins une fiche métallique (250) qui est électriquement connectée à la seconde couche semi-conductrice correspondante. Ce dispositif comprend : une couche intermédiaire (300) qui comprend des premières électrodes de contact (31) électriquement connectées aux premières couches semi-conductrices et des secondes électrodes de contact (32) connectées aux fiches métalliques ; et un plan arrière (400) qui est formé sur la couche intermédiaire. Les fiches métalliques ont des surfaces latérales (250S) qui entourent les micro-DEL et qui sont séparées des première et seconde couches semi-conductrices des micro-DEL respectives.
(JA)
本開示のマイクロLEDデバイスは、結晶成長基板(100)と、それぞれが第1導電型の第1半導体層(21)および第2導電型の第2半導体層(22)を有する複数のマイクロLED(220)、ならびにマイクロLEDの間に位置する素子分離領域(240)を含むフロントプレーン(200)とを備える。素子分離領域は、第2半導体層に電気的に接続された少なくともひとつの金属プラグ(250)を有する。このデバイスは、第1半導体層に電気的に接続された第1コンタクト電極(31)および金属プラグに接続された第2コンタクト電極(32)を含む中間層(300)と、中間層上に形成されたバックプレーン(400)とを備える。金属プラグは、各マイクロLEDを囲み、かつ、各マイクロLEDの第1半導体層および第2半導体層から離間した側面(250S)を有している。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報