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1. WO2020100219 - 高周波増幅器および高周波増幅器モジュール

公開番号 WO/2020/100219
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/041998
国際出願日 13.11.2018
IPC
H01L 23/36 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 神岡 純 KAMIOKA, Jun
  • 桑田 英悟 KUWATA, Eigo
  • 山口 裕太郎 YAMAGUCHI, Yutaro
  • 新庄 真太郎 SHINJO, Shintaro
代理人
  • 田澤 英昭 TAZAWA, Hideaki
  • 濱田 初音 HAMADA, Hatsune
  • 中島 成 NAKASHIMA, Nari
  • 坂元 辰哉 SAKAMOTO, Tatsuya
  • 辻岡 将昭 TSUJIOKA, Masaaki
  • 井上 和真 INOUE, Kazuma
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER AND HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER MODULE
(FR) AMPLIFICATEUR HAUTE FRÉQUENCE ET MODULE D'AMPLIFICATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波増幅器および高周波増幅器モジュール
要約
(EN)
A metal pillar (3b) having electrical conductivity and heat-dissipating property is disposed so as to cover interdigital electrodes of an FET chip (1) with a thin-film dielectric (14) therebetween.
(FR)
L'invention concerne un pilier métallique (3b) affichant des propriétés de conductivité électrique et de dissipation thermique disposé de façon à recouvrir des électrodes interdigitées d'une puce de FET (1) d'un diélectrique à couche mince (14), intercalé entre ces dernières.
(JA)
導電性および放熱性を有した金属ピラー(3b)を、薄膜誘電体(14)を介してFETチップ(1)の櫛歯状電極を覆うように設けた。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報