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1. WO2020100208 - 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法

公開番号 WO/2020/100208
公開日 22.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/041955
国際出願日 13.11.2018
IPC
G01M 3/04 2006.01
G物理学
01測定;試験
M機械または構造物の静的または動的つり合い試験;他に分類されない構造物または装置の試験
3構造物の気密性の調査
02流体または真空によるもの
04漏洩点での流体の存在を検知することによるもの
G01M 3/16 2006.01
G物理学
01測定;試験
M機械または構造物の静的または動的つり合い試験;他に分類されない構造物または装置の試験
3構造物の気密性の調査
02流体または真空によるもの
04漏洩点での流体の存在を検知することによるもの
16電気的検出手段を用いるもの
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 日坂 隆行 HISAKA, Takayuki
代理人
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE LEAK INSPECTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法
要約
(EN)
A semiconductor device (33), a leak detection device (43), an outer wall (20), and a separation wall (22) are provided on a substrate (12). A lid (28) is provided to face the substrate (12). A first hollow structure (44a) in contact with the semiconductor device (33) and a second hollow structure (44b) in contact with the leak detection device (43) are separated by the separation wall (22) and formed in an airtight state, wherein the hollow structures are enclosed by the substrate (12), the outer wall (20), the separation wall (22) and the lid (28). A terminal (14) electrically connected to the leak detection device (43) and at least partially exposed to the outside is provided. At least a part of the portion of the leak detection device (43) in contact with the second hollow structure (44b) is made of a corrosive metal or an alloy including a corrosive metal. At least a portion of the outer wall (20) is in contact with the second hollow structure (44b).
(FR)
Selon la présente invention, un dispositif à semi-conducteur (33), un dispositif de détection de fuite (43), une paroi externe (20) et une paroi de séparation (22) sont disposés sur un substrat (12). Un couvercle (28) est disposé de façon à faire face au substrat (12). Une première structure creuse (44a) en contact avec le dispositif à semi-conducteur (33) et une deuxième structure creuse (44b) en contact avec le dispositif de détection de fuite (43) sont séparées par la paroi de séparation (22) et formées dans un état étanche à l’air, les structures creuses étant entourées par le substrat (12), la paroi externe (20), la paroi de séparation (22) et le couvercle (28). Une borne (14) électriquement connectée au dispositif de détection de fuite (43) et au moins partiellement exposée à l’extérieur est disposée. Au moins une partie de la partie du dispositif de détection de fuite (43) en contact avec la deuxième structure creuse (44b) est constituée d’un métal corrosif ou d’un alliage comprenant un métal corrosif. Au moins une partie de la paroi externe (20) est en contact avec la deuxième structure creuse (44b).
(JA)
基板(12)の上に半導体デバイス(33)、リーク検出用デバイス(43)、外壁(20)および分離壁(22)が設けられている。基板(12)と対向してふた(28)が設けられている。基板(12)、外壁(20)、分離壁(22)およびふた(28)によって半導体デバイス(33)に接した第1の中空構造(44a)とリーク検出用デバイス(43)に接した第2の中空構造(44b)が分離壁(22)で分離され気密状態で形成されている。リーク検出用デバイス(43)と電気的に接続され少なくとも一部が外部に露出した端子(14)を備える。リーク検出用デバイス(43)の第2の中空構造(44b)に接する部分の少なくとも一部は腐食性金属または腐食性金属を含む合金からなる。外壁(20)の少なくとも一部は第2の中空構造(44b)に接している。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報