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1. WO2020096045 - 窒化物半導体基板の製造方法および積層構造体

公開番号 WO/2020/096045
公開日 14.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043879
国際出願日 08.11.2019
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 株式会社サイオクス SCIOCS COMPANY LIMITED [JP]/[JP]
  • 住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 吉田 丈洋 YOSHIDA Takehiro
代理人
  • 福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro
  • 橘高 英郎 KITTAKA Hideo
優先権情報
2018-21053608.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND LAMINATED STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE ET STRUCTURE STRATIFIÉE
(JA) 窒化物半導体基板の製造方法および積層構造体
要約
(EN)
A method for manufacturing a nitride semiconductor substrate using a vapor phase growth method, comprising: a step of preparing an underlying substrate which is made of a group III nitride semiconductor single crystal and in which a crystal plane having a low index closest to a main surface is a (0001) plane; an etching step of etching the main surface of the underlying substrate and roughening the main surface; a first step of epitaxially growing a group III nitride semiconductor single crystal on the main surface of the underlying substrate, generating a plurality of recesses configured of inclined interfaces other than the (0001) plane based on the roughened main surface of the underlying substrate, gradually expanding at least some of the plurality of recesses toward the upper side of the main surface of the underlying substrate, and growing a first layer having a first surface on which the (0001) plane is absent and which is configured only by the inclined interface; and a second step of epitaxially growing a group III nitride semiconductor single crystal on the first layer, eliminating the inclined interface, and growing a second layer having a mirrored second surface.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à base de nitrure à l'aide d'un procédé de croissance en phase vapeur, comprenant : une étape consistant à préparer un substrat sous-jacent, qui est en monocristal de semi-conducteur à base de nitrure du groupe III et dans lequel un plan cristallin présentant un faible indice le plus proche d'une surface principale est un plan (0001) ; une étape gravure consistant à graver la surface principale du substrat sous-jacent et à rendre rugueuse la surface principale ; une première étape consistant à faire croître de manière épitaxiale un monocristal de semi-conducteur à base de nitrure du groupe III sur la surface principale du substrat sous-jacent, à générer une pluralité d'évidements, configurés par des interfaces inclinées différemment que le plan (0001), reposant sur la surface principale rugueuse du substrat sous-jacent, à étendre progressivement au moins une partie de la pluralité d'évidements vers le côté supérieur de la surface principale du substrat sous-jacent et à faire croître une première couche présentant une première surface sur laquelle le plan (0001) est absent et qui est configurée uniquement par l'interface inclinée ; et une deuxième étape consistant à faire croître de manière épitaxiale un monocristal de semi-conducteur à base de nitrure du groupe III sur la première couche, à éliminer l'interface inclinée et à faire croître une deuxième couche présentant une deuxième surface en miroir.
(JA)
気相成長法を用いた窒化物半導体基板の製造方法であって、III族窒化物半導体の単結晶からなり、主面に対して最も近い低指数の結晶面が(0001)面である下地基板を準備する工程と、下地基板の主面をエッチングし、該主面を粗面化させるエッチング工程と、下地基板の主面上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、粗面化された下地基板の主面を起因として、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を単結晶の表面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって複数の凹部の少なくともいずれかを徐々に拡大させ、(0001)面が消失し傾斜界面のみで構成される第1面を有する第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された第2面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有する。
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