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1. WO2020095744 - 原子層堆積法による金属ルテニウム薄膜の製造方法

公開番号 WO/2020/095744
公開日 14.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/042131
国際出願日 28.10.2019
IPC
C23C 16/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H01L 21/285 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人
  • 株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 西田 章浩 NISHIDA, Akihiro
  • 遠津 正揮 ENZU, Masaki
代理人
  • 曾我 道治 SOGA, Michiharu
  • 梶並 順 KAJINAMI, Jun
  • 大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro
優先権情報
2018-21035608.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING METAL RUTHENIUM THIN FILM BY MEANS OF ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE DE RUTHÉNIUM MÉTALLIQUE AU MOYEN D'UN PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
(JA) 原子層堆積法による金属ルテニウム薄膜の製造方法
要約
(EN)
A method for producing a metal ruthenium thin film on a base material by means of an atomic layer deposition method according to the present invention is characterized by comprising: (A) a step wherein a starting material gas containing a specific ruthenium compound is introduced into a processing atmosphere, so that the ruthenium compound is deposited on the base material; and a step wherein a reactive gas containing a specific compound is introduced into the processing atmosphere so as to be reacted with the specific ruthenium compound that has been deposited on the base material.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un film mince de ruthénium métallique sur un matériau de base au moyen d'un procédé de dépôt de couche atomique, le procédé de production étant caractérisé en ce qu'il comprend : (A) une étape au cours de laquelle un gaz de matière de départ contenant un composé de ruthénium spécifique est introduit dans une atmosphère de traitement, de telle sorte que le composé de ruthénium est déposé sur le matériau de base ; et une étape au cours de laquelle un gaz réactif contenant un composé spécifique est introduit dans l'atmosphère de traitement de façon à être mis en réaction avec le composé de ruthénium spécifique qui a été déposé sur le matériau de base.
(JA)
本発明の基体上に原子層堆積法により金属ルテニウム薄膜を製造する方法は、(A)特定のルテニウム化合物を含む原料ガスを処理雰囲気に導入し、前記基体上に当該ルテニウム化合物を堆積させる工程;特定の化合物を含む反応性ガスを処理雰囲気に導入し、前記基体上に堆積させた特定のルテニウム化合物と反応させる工程を含むことを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報