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1. WO2020095598 - 基板処理方法および基板処理装置

公開番号 WO/2020/095598
公開日 14.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/039520
国際出願日 07.10.2019
IPC
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 加藤 雅彦 KATO, Masahiko
代理人
  • 松阪 正弘 MATSUSAKA, Masahiro
  • 田中 勉 TANAKA, Tsutomu
  • 井田 正道 IDA, Masamichi
優先権情報
2018-20965607.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約
(EN)
A nozzle moving mechanism of this substrate processing device is capable of moving a nozzle portion (31) in proximity to and along an upper surface (91) of a substrate (9) on the radially inner side of an outermost position opposite to an outer peripheral portion (93) of the upper surface (91). Substrate processing includes performing a first ejecting operation in which a processing fluid is ejected from the nozzle portion (31) onto the upper surface (91) while moving the nozzle portion (31) along the upper surface (91) of the substrate (9) being rotated, and a second ejecting operation in which the processing fluid is ejected from the nozzle portion (31) stopped in the outermost position onto the upper surface (91) of the substrate (9) being rotated. The rotating speed of the substrate (9) during the second ejecting operation is higher than a rotating speed during the first ejecting operation, and/or the flow volume of ejection of the processing fluid during the second ejecting operation is smaller than a flow volume of ejection during the first ejecting operation. This makes it possible to limit the area in which additional processing is performed using the processing fluid with respect to the outer peripheral portion (93).
(FR)
L'invention porte sur un dispositif de traitement de substrat comprenant un mécanisme de déplacement de buse qui permet de déplacer une partie de buse (31) à proximité et le long d'une surface supérieure (91) d'un substrat (9) sur le côté radialement interne de la position située le plus à l'extérieur à l'opposé d'une partie périphérique externe (93) de la surface supérieure (91). Le traitement de substrat comprend la réalisation d'une première opération d'éjection au cours de laquelle un fluide de traitement est éjecté de la partie de buse (31) sur la surface supérieure (91) tout en déplaçant la partie de buse (31) le long de la surface supérieure (91) du substrat (9) mis en rotation, et d'une seconde opération d'éjection au cours de laquelle le fluide de traitement est éjecté de la partie de buse (31) arrêtée dans la position située le plus à l'extérieur sur la surface supérieure (91) du substrat (9) mis en rotation. La vitesse de rotation du substrat (9) pendant la seconde opération d'éjection est supérieure à une vitesse de rotation pendant la première opération d'éjection, et/ou le volume d'éjection du fluide de traitement pendant la seconde opération d'éjection est inférieur à un volume d'éjection d'écoulement pendant la première opération d'éjection. Ceci permet de limiter la zone dans laquelle un traitement supplémentaire est effectué à l'aide du fluide de traitement par rapport à la partie périphérique externe (93).
(JA)
基板処理装置のノズル移動機構は、基板(9)の上面(91)の外周縁部(93)に対向する最外位置から径方向の内側において、ノズル部(31)を上面(91)に近接させつつ上面(91)に沿って移動可能である。基板処理では、回転する基板(9)の上面(91)に沿ってノズル部(31)を移動しつつ、上面(91)に対してノズル部(31)から処理液を吐出する第1吐出動作と、回転する基板(9)の上面(91)に対して、最外位置で停止したノズル部(31)から処理液を吐出する第2吐出動作とが行われる。第2吐出動作における基板(9)の回転速度が、第1吐出動作における回転速度よりも高い、または/および、第2吐出動作における処理液の吐出流量が、第1吐出動作における吐出流量よりも低い。これにより、処理液による外周縁部(93)に対する追加の処理を狭い範囲に限定して行うことができる。
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