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1. WO2020095522 - 記憶制御装置、記憶装置、および、情報処理システム

公開番号 WO/2020/095522
公開日 14.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/034349
国際出願日 02.09.2019
IPC
G11C 7/14 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
7デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構
14ダミーセル管理;センス用リファレンス電圧発生回路
G11C 11/16 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02磁気的素子を用いるもの
16記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 萬行 厚雄 MANGYO, Atsuo
代理人
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
優先権情報
2018-20931907.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) STORAGE CONTROL DEVICE, STORAGE DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE DE STOCKAGE, DISPOSITIF DE STOCKAGE, ET SYSTÈME DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS
(JA) 記憶制御装置、記憶装置、および、情報処理システム
要約
(EN)
The state of reference cells in a storage device is correctly managed. A first memory cell array includes a first reference cell that generates the reference potential of a sense amplifier. A second memory cell array includes a second reference cell that generates the reference potential of the sense amplifier. A state storage unit stores a state indicating the probability of a held value for each of the first and second reference cells. When a read is instructed on either the first or second reference cell, a read control unit controls the indicated read on the basis of the states relating to the first and second reference cells stored in the state storage unit.
(FR)
L'état des cellules de référence dans un dispositif de stockage est correctement géré. Un premier réseau de cellules de mémoire comprend une première cellule de référence qui génère le potentiel de référence d'un amplificateur de détection. Un second réseau de cellules de mémoire comprend une seconde cellule de référence qui génère le potentiel de référence de l'amplificateur de détection. Une unité de stockage d'état stocke un état indiquant la probabilité d'une valeur conservée pour chacune des première et seconde cellules de référence. Lorsqu'une lecture est ordonnée sur la première ou la seconde cellule de référence, une unité de commande de lecture commande la lecture indiquée sur la base des états relatifs aux première et seconde cellules de référence stockées dans l'unité de stockage d'état.
(JA)
記憶装置における参照セルの状態を適正に管理する。 第1のメモリセルアレイはセンスアンプの参照電位を生成する第1の参照セルを含む。第2のメモリセルアレイはセンスアンプの参照電位を生成する第2の参照セルを含む。状態記憶部は、第1および第2の参照セルのそれぞれについて、保持される値の確からしさを示す状態を記憶する。書込み制御部は、第1および第2の参照セルの何れか一方に対する書込みが指示された際に、状態記憶部に記憶される第1および第2の参照セルに関する状態に基づいて、指示された書込みの制御を行う。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報