処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020095412 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/095412
公開日 14.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/041504
国際出願日 08.11.2018
IPC
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人
  • サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 藤田 直人 FUJITA Naoto
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu
  • 高橋 俊一 TAKAHASHI Shunichi
  • 伊藤 正和 ITO Masakazu
  • 高松 俊雄 TAKAMATSU Toshio
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
This semiconductor device is provided with: a second conductive-type embedded region (20) that is embedded in a part of the upper surface of a first conductive-type semiconductor substrate (10); a second conductive-type first semiconductor region (30) that is disposed above the semiconductor substrate (10) so as to cover the embedded region (20) and that has an impurity concentration lower than that of the embedded region (20); a first conducive-type connection region (40) that is embedded in a part of the upper surface of the semiconductor substrate (10) in a remaining region obtained by excluding the region where the first semiconductor region (30) is disposed, and that has a side surface connected to an extension region (31) which is a part of the lower part of the first semiconductor region (30); and a first conductive-type second semiconductor region (50) that is disposed on the upper surface of the connection region (40) and has a side surface connected to the first semiconductor region (30). The extension region (31) of the first semiconductor region (30) extends below the end of the second semiconductor region (50), and comes into contact with the side surface of the connection region (40).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une région incorporée de second type de conductivité (20) qui est intégrée dans une partie de la surface supérieure d'un premier substrat semi-conducteur de premier type de conductivité (10) ; une région semi-conductrice de second type de conductivité (30) qui est disposée au-dessus du substrat semi-conducteur (10) de manière à recouvrir la région incorporée (20) et qui a une concentration d'impuretés inférieure à celle de la région incorporée (20) ; une région de connexion de premier type de conductivité (40) qui est incorporée dans une partie de la surface supérieure du substrat semi-conducteur (10) dans une région restante obtenue en excluant la région où la première région semi-conductrice (30) est disposée, et qui a une surface latérale reliée à une région d'extension (31) qui est une partie de la partie inférieure de la première région semi-conductrice (30) ; et une région semi-conductrice de premier type de conductivité (50) qui est disposée sur la surface supérieure de la région de connexion (40) et a une surface latérale connectée à la première région semi-conductrice (30). La région d'extension (31) de la première région semi-conductrice (30) s'étend au-dessous de l'extrémité de la seconde région semi-conductrice (50), et vient en contact avec la surface latérale de la région de connexion (40).
(JA)
半導体装置は、第1導電型の半導体基板(10)の上面の一部に埋め込まれた第2導電型の埋設領域(20)と、埋設領域(20)を覆って半導体基板(10)の上方に配置された、埋設領域(20)よりも不純物濃度の低い第2導電型の第1半導体領域(30)と、第1半導体領域(30)の配置された領域の残余の領域で半導体基板(10)の上面の一部に埋め込まれ、第1半導体領域(30)の下部の一部である延伸領域(31)と側面が接続する第1導電型の接続領域(40)と、接続領域(40)の上面に配置され、第1半導体領域(30)に側面が接続する第1導電型の第2半導体領域(50)を備える。第1半導体領域(30)の延伸領域(31)が、第2半導体領域(50)の端部の下方を延伸して接続領域(40)の側面と接する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報