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1. WO2020095371 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/095371
公開日 14.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/041253
国際出願日 06.11.2018
IPC
H02M 7/48 2007.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
G01R 31/26 2014.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
26個々の半導体装置の試験
H02M 1/08 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
出願人
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP]/[JP]
  • 東芝エネルギーシステムズ株式会社 TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 田代 匠太 TASHIRO, Shota
  • 伊東 弘晃 ITO, Hiroaki
  • 市倉 優太 ICHIKURA, Yuta
  • 渡邉 尚威 WATANABE, Naotake
  • 田多 伸光 TADA, Nobumitsu
  • 水谷 麻美 MIZUTANI, Mami
  • 関谷 洋紀 SEKIYA, Hiroki
  • 久里 裕二 HISAZATO, Yuuji
  • 飯尾 尚隆 IIO, Naotaka
代理人
  • 木内 光春 KIUCHI, Mitsuharu
  • 大熊 考一 OKUMA, Koichi
  • 片桐 貞典 KATAGIRI, Sadanori
  • 木内 加奈子 KIUCHI, Kanako
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device which can reduce the possibility of a peripheral portion, that is disposed in the vicinity of the semiconductor device and that is not malfunctioning, from being destroyed when a semiconductor element constituting the semiconductor device has short-circuited. This semiconductor device 1 includes: a plurality of semiconductor elements 2 for switching a supplied voltage; a detection unit 4 for detecting a short-circuit current of the plurality of semiconductor elements 2; and a control unit 5 that, from among the plurality of semiconductor elements 2, sets the semiconductor elements 2 which are outputting a current of the same polarity to a conductive state, such setting performed when a short-circuit current of at least one semiconductor element 2 from among the plurality of semiconductor elements 2 has been detected by the detection unit 4.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut réduire la possibilité qu'une partie périphérique, qui est disposée à proximité du dispositif à semi-conducteur et qui n'est pas défectueuse, soit détruite lorsqu'un élément à semi-conducteur constituant le dispositif à semi-conducteur a un court-circuit. Le dispositif à semi-conducteur (1) comprend : une pluralité d'éléments à semi-conducteur (2) pour commuter une tension fournie ; une unité de détection (4) pour détecter un courant de court-circuit de la pluralité d'éléments à semi-conducteur (2) ; et une unité de commande (5) qui, parmi la pluralité d'éléments à semi-conducteur (2), paramètre les éléments à semi-conducteur (2) qui sortent un courant de la même polarité vers un état conducteur, un tel paramétrage étant réalisé lorsqu'un courant de court-circuit d'au moins un élément à semi-conducteur (2) parmi la pluralité d'éléments à semi-conducteur (2) a été détecté par l'unité de détection (4).
(JA)
半導体装置を構成する半導体素子が短絡故障した場合に、半導体装置の近傍に配置された故障していない周辺部分が破壊される可能性を軽減することができる半導体装置を提供する。半導体装置1は、供給された電圧をスイッチングする複数の半導体素子2と、複数の半導体素子2の短絡電流を検出する検出部4と、検出部4により、複数の半導体素子2のうち少なくとも一つの半導体素子2の短絡電流が検出された時に、複数の半導体素子2のうち、同極性の電流を出力する半導体素子2を導通状態とする制御部5と、を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報