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1. WO2020091000 - 水親和性の高い研磨粒子を用いた研磨用組成物

公開番号 WO/2020/091000
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/042889
国際出願日 31.10.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 三井 滋 MITSUI, Shigeru
  • 西村 透 NISHIMURA, Tohru
  • 石水 英一郎 ISHIMIZU, Eiichiro
代理人
  • 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE
優先権情報
2018-20641401.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING COMPOSITION USING POLISHING PARTICLES THAT HAVE HIGH WATER AFFINITY
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE FAISANT APPEL À DES PARTICULES DE POLISSAGE AYANT UNE HAUTE AFFINITÉ POUR L'EAU
(JA) 水親和性の高い研磨粒子を用いた研磨用組成物
要約
(EN)
[Problem] To provide a polish composition having a high polishing rate and capable of suppressing the occurrence of defects, when used for CMP polishing for a device wafer. [Solution] This polishing composition includes silica particles, wherein the silica particles are based on a colloidal silica dispersion, and the measured value of pulsed NMR of the dispersion, Rsp=(Rav-Rb)/(Rb), is 0.15-0.7, and the shape factor, SF1 = (area of a circle, derived by using the maximum particle diameter of the particles as the diameter of the circle)/(projected area), of the silica particles, is 1.20-1.80. Rsp is an index indicating water affinity, Rav is the reciprocal of the relaxation time of the colloidal silica dispersion, and Rb is the reciprocal of the relaxation time of the blank aqueous solution excluding the silica particles in the colloidal silica dispersion. The colloidal silica dispersion has an average particle diameter of 40-200 nm as measured by a dynamic light scattering method, and the silica particles in the dispersion have an average primary particle diameter of 10-80 nm as measured by a nitrogen gas adsorption method.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de polissage ayant un taux de polissage élevé et pouvant supprimer l'apparition de défauts, lorsqu'elle est utilisée pour un polissage CMP d'une tranche de dispositif. La solution selon l'invention porte sur une composition de polissage comprenant des particules de silice, les particules de silice étant basées sur une dispersion de silice colloïdale, et la valeur mesurée de RMN pulsée de la dispersion, Rsp=(Rav-Rb)/(Rb), s'inscrivant dans la plage de 0,15 à 0,7, et le facteur de forme, SF1 = (surface d'un cercle, dérivée au moyen du diamètre de particule maximal des particules en tant que diamètre du cercle)/(surface projetée), des particules de silice, s'inscrivant dans la plage de 1,20 à 1,80. Rsp est un indice indiquant l'affinité pour l'eau, Rav est la réciproque du temps de relaxation de la dispersion de silice colloïdale, et Rb est la réciproque du temps de relaxation de la solution aqueuse témoin à l'exclusion des particules de silice dans la dispersion de silice colloïdale. La dispersion de silice colloïdale a un diamètre de particule moyen de 40 à 200 nm tel que mesuré par un procédé de diffusion de lumière dynamique, et les particules de silice de la dispersion ont un diamètre de particule primaire moyen s'inscrivant dans la plage de 10 à 80 nm tel que mesuré par un procédé d'adsorption de gaz d'azote.
(JA)
【課題】 デバイスウエハのCMP研磨に用いて高い研磨速度とデフェクトの発生を抑制する事が可能な研磨用組成物の提供。 【解決手段】 シリカ粒子を含む研磨用組成物であって、該シリカ粒子がコロイド状シリカ分散液に基づき、その分散液のパルスNMRの測定値Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)が0.15~0.7であり、且つ該シリカ粒子の形状係数SF1=(粒子の最大径を直径とする円の面積)/(投影面積)が1.20~1.80である上記研磨用組成物。Rspは水親和性を示す指標であり、Ravはコロイド状シリカ分散液の緩和時間逆数であり、Rbはコロイド状シリカ分散液においてシリカ粒子を除いたブランク水溶液の緩和時間逆数である。コロイド状シリカ分散液の動的光散乱法により測定した平均粒子径が40~200nmであり、該分散液中のシリカ粒子は窒素ガス吸着法により測定した平均一次粒子径が10~80nmである。
他の公開
KR1020207007455
KRKR1020207007455
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