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1. WO2020090931 - ダマシン配線構造、アクチュエータ装置、及びダマシン配線構造の製造方法

公開番号 WO/2020/090931
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/042669
国際出願日 30.10.2019
IPC
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 鈴木 大幾 SUZUKI Daiki
  • 井上 直 INOUE Nao
  • 柴山 勝己 SHIBAYAMA Katsumi
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-20535131.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURE, ACTUATOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION À DAMASQUINAGE, DISPOSITIF ACTIONNEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'INTERCONNEXION À DAMASQUINAGE
(JA) ダマシン配線構造、アクチュエータ装置、及びダマシン配線構造の製造方法
要約
(EN)
Provided is a damascene interconnect structure comprising: a base including a main surface with a groove portion; an insulating layer including a first part disposed on an inner surface of the groove portion, and a second part integrally formed with the first part and disposed on the main surface; a metal layer disposed on the first part of the insulating layer; an interconnect portion embedded in the groove portion and bonded to the metal layer; and a cap layer disposed so as to cover the second part of the insulating layer, an end portion of the metal layer, and the interconnect portion. A surface of a boundary portion of the insulating layer between the first part and the second part on the opposite side to the base includes an inclined surface which is inclined, when viewed from an extending direction of the interconnect portion, with respect to a direction perpendicular to the main surface. The end portion of the metal layer is inserted between the cap layer and the inclined surface. In the end portion, a first surface along the cap layer and a second surface along the inclined surface form an acute angle.
(FR)
L'invention concerne une structure d'interconnexion à damasquinage comprenant : une base comprenant une surface principale ayant une partie de rainure ; une couche isolante comprenant une première partie disposée sur une surface interne de la partie de rainure, et une seconde partie formée d'un seul tenant avec la première partie et disposée sur la surface principale ; une couche métallique disposée sur la première partie de la couche isolante ; une partie d'interconnexion incorporée dans la partie rainure et liée à la couche métallique ; et une couche de capuchon disposée de manière à recouvrir la seconde partie de la couche isolante, une partie d'extrémité de la couche métallique et la partie d'interconnexion. Une surface d'une partie limite de la couche isolante entre la première partie et la seconde partie sur le côté opposé à la base comprend une surface inclinée qui est inclinée, vue depuis une direction d'extension de la partie d'interconnexion, par rapport à un sens perpendiculaire à la surface principale. La partie d'extrémité de la couche métallique est insérée entre la couche de capuchon et la surface inclinée. Dans la partie d'extrémité, une première surface le long de la couche de capuchon et une seconde surface le long de la surface inclinée forment un angle aigu.
(JA)
ダマシン配線構造は、溝部が設けられた主面を有するベースと、溝部の内面上に設けられた第1部分、及び、第1部分と一体的に形成され、主面上に設けられた第2部分を有する絶縁層と、絶縁層の第1部分上に設けられた金属層と、溝部内に埋め込まれ、金属層に接合された配線部と、絶縁層の第2部分、金属層の端部、及び配線部を覆うように設けられたキャップ層と、を備える。絶縁層における第1部分と第2部分との境界部分のベースとは反対側の表面は、配線部の延在方向から見た場合に、主面に垂直な方向に対して傾斜した傾斜面を含んでいる。金属層の端部は、キャップ層と傾斜面との間に入り込んでおり、端部においては、キャップ層に沿った第1表面と傾斜面に沿った第2表面とが鋭角を成している。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報