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1. WO2020090914 - 面内磁化膜、面内磁化膜多層構造、ハードバイアス層、磁気抵抗効果素子、およびスパッタリングターゲット

公開番号 WO/2020/090914
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/042628
国際出願日 30.10.2019
IPC
H01F 10/16 2006.01
H電気
01基本的電気素子
F磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08磁性体層によって特徴づけられたもの
10組成によって特徴づけられたもの
12金属または合金
16コバルトを含むもの
H01F 41/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
F磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
41磁石,インダクタンスまたは変圧器の製造または組立に特に適合した装置または工程;磁気特性により特徴付けられる材料の製造に特に適合した装置または工程
14基体に磁性膜を適用するためのもの
18陰極スパッタリングによるもの
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
出願人
  • 田中貴金属工業株式会社 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • タム キム コング THAM, Kim Kong
  • 櫛引 了輔 KUSHIBIKI, Ryousuke
  • 青野 雅広 AONO, Masahiro
  • 渡邉 恭伸 WATANABE, Yasunobu
代理人
  • 松山 圭佑 MATSUYAMA, Keisuke
  • 高矢 諭 TAKAYA, Satoshi
  • 藤田 崇 FUJITA, Takashi
優先権情報
2018-20430330.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IN-PLANE MAGNETIZED FILM, IN-PLANE MAGNETIZED FILM MULTILAYER STRUCTURE, HARD BIAS LAYER, MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND SPUTTERING TARGET
(FR) FILM MAGNÉTISÉ DANS LE PLAN, STRUCTURE MULTICOUCHE DE FILM MAGNÉTISÉ DANS LE PLAN, COUCHE DE POLARISATION DURE, ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) 面内磁化膜、面内磁化膜多層構造、ハードバイアス層、磁気抵抗効果素子、およびスパッタリングターゲット
要約
(EN)
Provided is a CoPt-oxide-based in-plane magnetized film which has a magnetic coercive force Hc of 2.00 kOe or more and has remanent magnetization Mrt per unit area of 2.00 memu/cm2 or more. An in-plane magnetized film (10) for use as a hard bias layer (14) in a magnetoresistive element (12), which contains metal Co, metal Pt and an oxide, wherein the metal Co and the metal Pt are contained in amounts of 55 at% or more and less than 95 at% and more than 5 at% and 45 at% or less, respectively, relative to the total amount of the metal components in the in-plane magnetized film (10), the oxide is contained in an amount of 10 to 42 vol% inclusive relative to the whole amount of the in-plane magnetized film (10), and the thickness is 20 to 80 nm inclusive.
(FR)
L'invention concerne un film magnétisé dans le plan à base d'oxyde de CoPt qui a une force coercitive magnétique Hc de 2,00 kOe ou plus et a une magnétisation rémanente Mrt par unité de surface de 2,00 memu/cm2 ou plus. L'invention concerne un film magnétisé dans le plan (10) destiné à être utilisé en tant que couche de polarisation dure (14) dans un élément magnétorésistif (12), qui contient du Co, du Pt et un oxyde, le Co et le Pt étant contenus dans des quantités de 55 % at ou plus et moins de 95 % at, et de plus de 5 % at et 45 % at ou moins, respectivement, par rapport à la quantité totale des composants métalliques dans le film magnétisé dans le plan (10), l'oxyde étant contenu dans une quantité de 10 à 42 % en volume inclus par rapport à la quantité totale du film magnétisé dans le plan (10) et l'épaisseur étant de 20 à 80 nm inclus.
(JA)
2.00kOe以上の保磁力Hcを有し、かつ、単位面積当たりの残留磁化Mrtが2.00memu/cm2以上であるCoPt-酸化物系の面内磁化膜を提供する。 磁気抵抗効果素子(12)のハードバイアス層(14)として用いられる面内磁化膜(10)であって、金属Co、金属Ptおよび酸化物を含有してなり、面内磁化膜(10)の金属成分の合計に対して、金属Coを55at%以上95at%未満含有し、金属Ptを5at%より多く45at%以下含有し、面内磁化膜(10)の全体に対して前記酸化物を10vol%以上42vol%以下含有し、厚さが20nm以上80nm以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報