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1. WO2020090467 - 電界効果型トランジスタおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/090467
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040629
国際出願日 16.10.2019
IPC
H01L 21/338 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
338ショットキーゲートを有するもの
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 29/423 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
41その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
423整流,増幅またはスイッチされる電流を流さないもの
H01L 29/778 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
778二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H01L 29/812 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
80PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812ショットキーゲートを有するもの
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 堤 卓也 TSUTSUMI, Takuya
  • 松崎 秀昭 MATSUZAKI, Hideaki
代理人
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
優先権情報
2018-20482631.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
要約
(EN)
A gate opening part (110) that is disposed in a recess formation region (131) with the distance thereof from a drain electrode (108) being larger than the distance thereof from a source electrode (107) is formed in an insulation layer (109) (step 4). The gate opening part (110) is a stripe-shaped opening extending in the gate width direction. A plurality of asymmetric recess forming opening parts (111) are formed to be arranged in a line in the gate width direction between the gate opening part (110) and the drain electrode (108) within the recess formation region (131) of the insulation layer (109) (step 5). In this step, the asymmetric recess forming opening part (111) having a larger opening size in the gate length direction than an opening size in the gate width direction is formed.
(FR)
Une partie d'ouverture de grille (110) qui est disposée dans une région de formation d'évidement (131) avec la distance de celle-ci à partir d'une électrode de drain (108) étant plus grande que la distance de celle-ci à partir d'une électrode de source (107) est formée dans une couche d'isolation (109) (étape 4). La partie d'ouverture de porte (110) est une ouverture en forme de bande s'étendant dans la direction de la largeur de grille. Une pluralité de parties d'ouverture de formation d'évidement asymétrique (111) sont formées pour être agencées dans une ligne dans la direction de largeur de grille entre la partie d'ouverture de grille (110) et l'électrode de drain (108) à l'intérieur de la région de formation d'évidement (131) de la couche d'isolation (109) (étape 5). Dans cette étape, la partie d'ouverture de formation d'évidement asymétrique (111) ayant une taille d'ouverture plus grande dans la direction de la longueur de grille qu'une taille d'ouverture dans la direction de la largeur de grille est formée.
(JA)
ソース電極(107)との距離よりドレイン電極(108)との距離の方が大きい状態でリセス形成領域(131)内に配置したゲート開口部(110)を絶縁層(109)に形成する(第4工程)。ゲート開口部(110)は、ゲート幅方向に延在するストライプ状の開口である。また、絶縁層(109)のリセス形成領域(131)内でゲート開口部(110)とドレイン電極(108)との間に、ゲート幅方向に一列に並べて複数の非対称リセス形成用開口部(111)を形成する(第5工程)。この行程では、ゲート長方向の開口寸法がゲート幅方向の開口寸法より大きい非対称リセス形成用開口部(111)を形成する。
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