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1. WO2020090451 - ドライエッチング方法

公開番号 WO/2020/090451
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040539
国際出願日 16.10.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 27/11556 2017.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
112リードオンリーメモリ構造
115電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ;そのための多段階製造工程
11517フローティングゲートを有するもの
11551三次元配置,例.異なる高さに配置されたセル,に特徴のあるもの
11553異なる高さのソースとドレインを有するもの,例.傾斜チャネルを有するもの
11556垂直部分からなるチャネル,例.U字型チャネル
H01L 27/11578 2017.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
112リードオンリーメモリ構造
115電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ;そのための多段階製造工程
11563電荷トラッピングゲート絶縁体を有するもの,例.MNOSまたはNROM
11578三次元配置,例.異なる高さに配置されたセル,に特徴のあるもの
出願人
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 大森 啓之 OOMORI, Hiroyuki
  • 鈴木 聖唯 SUZUKI, Shoi
代理人
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi
  • 富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi
  • 山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji
優先権情報
2018-20730902.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRY ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE
(JA) ドライエッチング方法
要約
(EN)
This dry etching method comprises: performing, on a laminated film which is formed on a substrate and which consists of silicon oxide layers and silicon nitride layers, etching in which a dry etching agent is turned into plasma and a negative direct-current self-bias voltage of 500 V or higher in terms of absolute value is applied, via a mask that has a predetermined opening pattern and that is formed on the laminated film; and forming a through hole in the vertical direction in the laminated film. The method is characterized in that: the dry etching agent contains at least C3F6, hydrogen-containing saturated fluorocarbons represented by CxHyFz, and oxidized gas; and the volume of the hydrogen-containing saturated fluorocarbons contained in the dry etching agent is in the range of 0.1 to 10 times the volume of the C3F6 contained in the dry etching agent.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de gravure sèche consistant à : effectuer, sur un film stratifié qui est formé sur un substrat et qui est constitué de couches d'oxyde de silicium et de couches de nitrure de silicium, une gravure durant laquelle un agent de gravure sèche est transformé en plasma et une tension d'auto-polarisation à courant continu négatif supérieur ou égal à 500 V en termes de valeur absolue est appliquée, par le biais d'un masque qui comporte un motif d'ouverture prédéfini et qui est formé sur le film stratifié ; et former un trou traversant dans la direction verticale dans le film stratifié. Le procédé est caractérisé en ce que : l'agent de gravure sèche contient au moins C3F6, des fluorocarbones saturés contenant de l'hydrogène représentés par CxHyFz, et un gaz oxydé ; et le volume des fluorocarbones saturés contenant de l'hydrogène contenus dans l'agent de gravure sèche s'inscrit dans la plage de 0,1 à 10 fois le volume de C3F6 contenu dans l'agent de gravure sèche.
(JA)
本開示のドライエッチング方法は、基板上に形成されたシリコン酸化物層とシリコン窒化物層の積層膜に対して、前記積層膜上に形成された所定の開口パターンを有するマスクを介して、ドライエッチング剤をプラズマ化し、絶対値で500V以上の負の直流の自己バイアス電圧を印加したエッチングを行い、前記積層膜に対して垂直方向の貫通孔を形成する方法であって、前記ドライエッチング剤が、少なくとも、C36と、Cxyzで表される含水素飽和フルオロカーボンと、酸化性ガスと、を含み、前記ドライエッチング剤に含まれる前記含水素飽和フルオロカーボンの体積が、前記ドライエッチング剤に含まれる前記C36の体積の0.1~10倍の範囲であることを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報