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1. WO2020090432 - 撮像素子および撮像素子の製造方法

公開番号 WO/2020/090432
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040414
国際出願日 15.10.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 西木戸 健樹 NISHIKIDO Kenju
代理人
  • 松尾 憲一郎 MATSUO Kenichiro
優先権情報
2018-20298529.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子および撮像素子の製造方法
要約
(EN)
The present invention mitigates the reflection of incident light in a peripheral edge section of an imaging element and prevents a degradation in image quality. This imaging element is provided with an imaging region, a wiring region, and a protective film which are arranged on a semiconductor substrate, and a protrusion which is arranged on the bottom section of an opening section formed in the semiconductor substrate. In the imaging region, arranged is a photoelectric conversion unit that is formed on the semiconductor substrate and performs photoelectric conversion of the incident light. The wiring region has wires for transmitting signals of the photoelectric conversion unit and is arranged adjacent to the surface of the semiconductor substrate. The protective film is arranged on the rear surface, which is a surface different from the surface of the semiconductor substrate, makes the incident light pass therethrough, and protects the rear surface of the semiconductor. The opening section is arranged in the outer peripheral region of the imaging region, and is open from the protective film to any one region among the semiconductor substrate and the wiring region. The protrusion is arranged on the bottom section of the opening section.
(FR)
La présente invention atténue la réflexion de la lumière incidente dans une section de bord périphérique d'un élément d'imagerie et empêche une dégradation de la qualité d'image. Cet élément d'imagerie comporte une région d'imagerie, une région de câblage et un film de protection qui sont disposés sur un substrat semi-conducteur, et une saillie qui est agencée sur la section inférieure d'une section d'ouverture formée dans le substrat semi-conducteur. Dans la région d'imagerie, est disposée une unité de conversion photoélectrique qui est formée sur le substrat semi-conducteur et réalise une conversion photoélectrique de la lumière incidente. La région de câblage a des fils pour transmettre des signaux de l'unité de conversion photoélectrique et est disposée de manière adjacente à la surface du substrat semi-conducteur. Le film de protection est disposé sur la surface arrière, qui est une surface différente de la surface du substrat semi-conducteur, fait passer la lumière incidente à travers celui-ci, et protège la surface arrière du semi-conducteur. La section d'ouverture est disposée dans la région périphérique externe de la région d'imagerie, et est ouverte à partir du film de protection vers une région quelconque parmi le substrat semi-conducteur et la région de câblage. La saillie est disposée sur la section inférieure de la section d'ouverture.
(JA)
撮像素子の周縁部における入射光の反射を軽減し、画質の低下を防止する。 撮像素子は、半導体基板に配置される撮像領域、配線領域、保護膜および半導体基板に形成される開口部の底部に配置される凸部を具備する。撮像領域は、半導体基板に形成されて入射光の光電変換を行う光電変換部が配置される。配線領域は、光電変換部の信号を伝達する配線を有するとともに半導体基板の表面に隣接して配置される。保護膜は、半導体基板の表面とは異なる面である裏面に配置されて入射光を透過させるとともに半導体の裏面を保護する。開口部は、撮像領域の外周領域に配置されて保護膜から半導体基板および配線領域の何れかの領域までに開口する。凸部は、開口部の底部に配置される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報