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1. WO2020090403 - 固体撮像素子および撮像装置

公開番号 WO/2020/090403
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/039986
国際出願日 10.10.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/374 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山川 真弥 YAMAKAWA, Shinya
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2018-20370430.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像素子および撮像装置
要約
(EN)
A solid-state imaging element which is provided with: a first substrate which has a photoelectric conversion part and a transfer transistor that is electrically connected to the photoelectric conversion part; a second substrate which is arranged so as to face the first substrate, and which has an output transistor that comprises a gate electrode, a channel region of a first conductivity type, said channel region being arranged so as to face the gate electrode, and a source/drain region of the first conductivity type, said source/drain region being adjacent to the channel region; and a drive circuit to which a signal charge generated by the photoelectric conversion part is output via the transfer transistor and the output transistor.
(FR)
L'invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteur qui comporte : un premier substrat qui a une partie de conversion photoélectrique et un transistor de transfert qui est électriquement connecté à la partie de conversion photoélectrique ; un second substrat qui est agencé de façon à faire face au premier substrat, et qui a un transistor de sortie qui comprend une électrode de grille, une région de canal d'un premier type de conductivité, ladite région de canal étant agencée de manière à faire face à l'électrode de grille, et une région de source/drain du premier type de conductivité, ladite région de source/drain étant adjacente à la région de canal ; et un circuit d'attaque auquel une charge de signal générée par la partie de conversion photoélectrique est délivrée par l'intermédiaire du transistor de transfert et du transistor de sortie.
(JA)
光電変換部および前記光電変換部に電気的に接続された転送トランジスタを有する第1基板と、前記第1基板に対向して設けられ、かつ、ゲート電極と、前記ゲート電極に対向して配置された第1導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域に隣接する前記第1導電型のソース・ドレイン領域とを含む出力トランジスタを有する第2基板と、前記光電変換部で生成された信号電荷が、前記転送トランジスタおよび前記出力トランジスタを介して出力される駆動回路とを備えた固体撮像素子。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報