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1. WO2020090399 - 基板処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/090399
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/039950
国際出願日 10.10.2019
IPC
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 奥谷 洋介 OKUYA Yosuke
代理人
  • 前井 宏之 MAEI Hiroyuki
優先権情報
2018-20724802.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約
(EN) A substrate processing device (1) includes: a substrate holding part (5); a substrate rotating part (7); a shielding part (19); a shielding part actuating mechanism (21); a processing liquid supplying unit (9); and a cup part (11). The substrate holding part (5) holds a substrate (W) horizontally. The substrate rotating part (7) integrally rotates the substrate (W) and the substrate holding part (5) about a central axis (AX) extending in the vertical direction. The shielding part (19) opposes an upper surface (Wa) of the substrate (W). The shielding part actuating mechanism (21) actuates the shielding part (19). The processing liquid supplying part (9) supplies a processing liquid to the substrate (W). The cup part (11) is disposed around the substrate holding part (5) and receives the processing liquid. The shielding part (19) has a gas outflow port (191) from which gas (AR) directed towards an inner wall surface (110) of the cup part (11) flows out.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat (1) comprenant : une partie de maintien de substrat (5); une partie de rotation de substrat (7); une partie de blindage (19); un mécanisme d'actionnement de partie de blindage (21); une unité d'alimentation en liquide de traitement (9); et une partie coupelle (11). La partie de maintien de substrat (5) maintient un substrat (W) horizontalement. La partie de rotation de substrat (7) fait tourner d'un seul tenant le substrat (W) et la partie de maintien de substrat (5) autour d'un axe central (AX) s'étendant dans la direction verticale. La partie de blindage (19) s'oppose à une surface supérieure (Wa) du substrat (W). Le mécanisme d'actionnement de partie de blindage (21) actionne la partie de blindage (19). La partie d'alimentation en liquide de traitement (9) fournit un liquide de traitement au substrat (W). La partie coupelle (11) est disposée autour de la partie de maintien de substrat (5) et reçoit le liquide de traitement. La partie de blindage (19) a un orifice de sortie de gaz (191) à partir duquel s'écoule un gaz (AR) dirigé vers une surface de paroi interne (110) de la partie coupelle (11).
(JA) 基板処理装置(1)は、基板保持部(5)と、基板回転部(7)と、遮蔽部(19)と、遮蔽部動作機構(21)と、処理液供給部(9)と、カップ部(11)とを有する。基板保持部(5)は、基板(W)を水平に保持する。基板回転部(7)は、上下方向に延びる中心軸(AX)を中心として基板(W)と基板保持部(5)とを一体に回転させる。遮蔽部(19)は、基板(W)の上面(Wa)に対向する。遮蔽部動作機構(21)は、遮蔽部(19)を動作させる。処理液供給部(9)は、基板(W)に処理液を供給する。カップ部(11)は、基板保持部(5)の周囲に配置されて、処理液を受ける。遮蔽部(19)は、カップ部(11)の内壁面(110)に向かう気体(AR)が流出する気体流出口(191)を有する。
関連特許文献
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