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1. WO2020090205 - 半導体装置及びその製造方法

公開番号 WO/2020/090205
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/033371
国際出願日 26.08.2019
IPC
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
出願人
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 上野 恵子 UENO Keiko
  • 本田 一尊 HONDA Kazutaka
  • 小川 剛 OGAWA Tsuyoshi
  • 柳田 裕貴 YANAGITA Yuki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
PCT/JP2018/04030630.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約
(EN)
A production method according to the present disclosure is for the production of a semiconductor device that comprises: a first member which has a first connection part and a side that extends linearly; a second member which has a second connection part; and an adhesive layer which is arranged between the first and second members. The production method according to the present disclosure comprises: a stacking step for preparing a multilayer body in which the first member, the adhesive layer and the second member are sequentially stacked in this order; and a compression bonding step wherein the multilayer body is irradiated with laser for the purpose of heating, while being applied with a pressing force in the thickness direction. In the compression bonding step, the multilayer body is irradiated with laser so that a laser irradiated part, a laser non-irradiated part and a laser irradiated part are sequentially formed in this order from the periphery of one end of the side of the first member toward the periphery of the other end.
(FR)
Un procédé de production selon la présente invention est destiné à la production d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend : un premier élément qui a une première partie de connexion et un côté qui s'étend de façon linéaire ; un second élément qui a une seconde partie de connexion ; et une couche adhésive qui est disposée entre les premier et second éléments. Le procédé de production selon la présente invention comprend : une étape d'empilement pour préparer un corps multicouche dans lequel le premier élément, la couche adhésive et le second élément sont empilés séquentiellement dans cet ordre ; et une étape de liaison par compression dans laquelle le corps multicouche est irradié avec un laser dans le but de chauffer, tout en étant appliqué avec une force de pression dans la direction de l'épaisseur. Dans l'étape de liaison par compression, le corps multicouche est irradié avec un laser de telle sorte qu'une partie irradiée par laser, une partie non irradiée au laser et une partie irradiée par laser sont formées séquentiellement dans cet ordre à partir de la périphérie d'une extrémité du côté du premier élément vers la périphérie de l'autre extrémité.
(JA)
本開示に係る製造方法は、第一の接続部を有し且つ直線状に延びる辺を有する第一の部材と、第二の接続部を有する第二の部材と、第一及び第二の部材との間に配置された接着剤層とを含む半導体装置を製造するためのものである。本開示の製造方法は、第一の部材、接着剤層及び第二の部材がこの順序で積層された積層体を準備する積層工程と、積層体に対して厚さ方向に押圧力を加えた状態で、積層体に対して加熱のためのレーザーを照射する圧着工程とを含み、圧着工程において、第一の部材の辺の一端の周縁部から他端の周縁部に向けて、レーザー照射部、レーザー非照射部及びレーザー照射部がこの順序で形成されるように、積層体に対してレーザーを照射する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報