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1. WO2020090164 - 真空処理装置

公開番号 WO/2020/090164
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/028821
国際出願日 23.07.2019
IPC
C23C 14/00 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
H01L 21/203 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H01L 21/285 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 藤井 佳詞 FUJII Yoshinori
代理人
  • 特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION
優先権情報
2018-20437730.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) VACUUM TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT SOUS VIDE
(JA) 真空処理装置
要約
(EN)
The present invention provides a vacuum treatment device which, when vacuum treatment is performed in a vacuum chamber while using a hot plate to control, to a prescribed temperature above room temperature, a substrate to be treated that is placed on a stage, is capable of limiting to the extent possible negative effects from the vacuum treatment such as causing film quality deterioration. A stage 4 has a base 41 and a hot plate 43 installed upon the base and capable of heating a substrate Sw to be treated, and additionally provided are a deposition preventing plate 8 and a metal platen ring 7 surrounding the hot plate with a prescribed gap therebetween. The surface portion of the platen ring facing the hot plate is formed from a low-emissivity layer 73, the emissivity thereof being reduced by applying surface treatment to the parent metal of the platen ring.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement sous vide qui, lorsqu'un traitement sous vide est effectué dans une chambre à vide tandis qu'une une plaque chauffante est utilisée pour contrôler, à une température prescrite supérieure à la température ambiante, un substrat à traiter qui est placé sur un étage, est capable de limiter dans la mesure du possible les éventuels effets négatifs dus au traitement sous vide, telle qu'une détérioration de la qualité du film. Un étage (4) comporte une base (41) et une plaque chauffante (43) installée sur la base et apte à chauffer un substrat (Sw) à traiter. Le dispositif selon l'invention comprend en outre une plaque de prévention de dépôt (8) et une bague de platine métallique (7) entourant la plaque chauffante avec un espace prescrit entre celles-ci. La partie de surface de la bague de platine faisant face à la plaque chauffante est formée à partir d'une couche à faible émissivité (73), son émissivité étant réduite par application d'un traitement de surface au métal de base de la bague de platine.
(JA)
真空チャンバ内で、ホットプレートによりステージに設置された被処理基板を室温より高い所定温度に制御しながら真空処理を施すような場合、例えば膜質の劣化を招来するといった真空処理に対する悪影響を可及的に抑制することができる真空処理装置を提供する。 ステージ4が基台41とこの基台上に設置されて被処理基板Swの加熱を可能とするホットプレート43とを有し、所定の隙間を存してこのホットプレートを囲繞する金属製のプラテンリング7と防着板8とを更に備える。ホットプレートに対向するプラテンリングの表面部分は、その母材金属に表面処理を施すことで放射率を低減させた低放射率層73で構成される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報