処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020090163 - 真空処理装置

公開番号 WO/2020/090163
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/028814
国際出願日 23.07.2019
IPC
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C23C 14/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
50基板保持具
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 藤井 佳詞 FUJII Yoshinori
代理人
  • 特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION
優先権情報
2018-20443730.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) VACUUM TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT SOUS VIDE
(JA) 真空処理装置
要約
(EN)
The present invention provides a vacuum treatment device in which it is possible to control a substrate to be treated to a prescribed temperature even when heat enters the substrate to be treated from sources other than a hot plate during vacuum treatment. This vacuum treatment device SM is equipped with a vacuum chamber 1 that is capable of forming a vacuum environment, and a stage 4 that supports, inside the vacuum chamber, a substrate Sw to be treated, wherein the stage has a base 41 that is selectively cooled, a chuck plate 42 that is provided above the base and electrostatically attracts the substrate to be treated, and a hot plate 43 that is interposed between the base and the chuck plate, and the substrate to be treated, which is electrostatically attracted to the surface of the chuck plate, can be controlled to a prescribed temperature that is room temperature or higher. The vacuum treatment device further comprises, between the base and the hot plate, a heat insulating plate 44 that inhibits the transfer of heat from the hot plate to the base, and a high-emissivity layer 45 having a higher emissivity than the top surface of the base is provided between the base and the heat insulating plate.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement sous vide dans lequel il est possible de commander un substrat à traiter à une température prescrite même lorsque de la chaleur entre dans le substrat à traiter à partir de sources autres qu'une plaque chauffante pendant un traitement sous vide. Ce dispositif de traitement sous vide SM est équipé d'une chambre sous vide 1 qui est capable de former un environnement sous vide, et d'un étage 4 qui supporte, à l'intérieur de la chambre sous vide, un substrat Sw à traiter, l'étage ayant une base 41 qui est refroidie de façon sélective, une plaque de mandrin 42 qui est disposée au-dessus de la base et attire électrostatiquement le substrat à traiter, et une plaque chauffante 43 qui est interposée entre la base et la plaque de mandrin, et le substrat à traiter, qui est attiré électrostatiquement à la surface de la plaque de mandrin, peut être commandé à une température prescrite qui est à température ambiante ou plus. Le dispositif de traitement sous vide comprend en outre, entre la base et la plaque chauffante, une plaque d'isolation thermique 44 qui empêche le transfert de chaleur de la plaque chauffante à la base, et une couche à haute émissivité 45 ayant une émissivité supérieure à celle de la surface supérieure de la base est disposée entre la base et la plaque d'isolation thermique.
(JA)
真空処理中にホットプレート以外から被処理基板への入熱がある場合でも、被処理基板を所定温度に制御できるようにした真空処理装置を提供する。 真空雰囲気の形成が可能な真空チャンバ1と、真空チャンバ内で被処理基板Swを支持するステージ4とを備え、ステージが、選択的に冷却される基台41と、基台上に設けられて被処理基板を静電吸着するチャックプレート42と、基台とチャックプレートとの間に介設されたホットプレート43とを有し、チャックプレート表面に静電吸着された被処理基板を室温以上の所定温度に制御自在とした本発明の真空処理装置SMは、基台とホットプレートとの間に、ホットプレートから基台への伝熱を抑制する断熱プレート44を更に備え、基台と断熱プレートとの間に、基台の上面よりも高い放射率を持つ高放射率層45を設ける。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報