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1. WO2020089726 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/089726
公開日 07.05.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/058935
国際出願日 21.10.2019
IPC
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/14 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
14エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 中田 昌孝 NAKADA, Masataka
  • 井口 貴弘 IGUCHI, Takahiro
  • 保坂 泰靖 HOSAKA, Yasuharu
  • 重信 匠 SHIGENOBU, Takumi
優先権情報
2018-20722602.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device having good electrical characteristics. Provided is a semiconductor device having high reliability. Provided is a semiconductor having stable electrical characteristics. The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulation layer, a metal oxide layer, a conductive layer, and an insulation area. The first insulation layer covers the top surface and side surfaces of the semiconductor layer, and the conductive layer is positioned on the first insulation layer. The metal oxide layer is positioned between the first insulation layer and the conductive layer, and an end part of the metal oxide layer is positioned at a more inward side than an end part of the conductive layer. The insulation area is adjacent to the metal oxide layer, and is positioned between the first insulation layer and the conductive layer. In addition, the semiconductor layer includes a first area, a pair of second areas, and a pair of third areas. The first area overlaps the metal oxide layer and the conductive layer. The second areas, between which the first area is interposed, overlap the insulation area and the conductive layer. The third areas, between which the first area and the pair of the second areas are interposed, do not overlap the conductive layer. The third area preferably includes a part having lower resistance than the first area. The second area preferably includes a part having higher resistance than the third area.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant de bonnes caractéristiques électriques. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant une haute fiabilité. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant des caractéristiques électriques stables. Le dispositif à semi-conducteurs comprend une couche semi-conductrice, une première couche d'isolation, une couche d'oxyde métallique, une couche conductrice, et une zone d'isolation. La première couche d'isolation recouvre la surface supérieure et les surfaces latérales de la couche semi-conductrice, et la couche conductrice est positionnée sur la première couche d'isolation. La couche d'oxyde métallique est positionnée entre la première couche d'isolation et la couche conductrice, et une partie d'extrémité de la couche d'oxyde métallique est positionnée au niveau d'un côté plus à l'intérieur qu'une partie d'extrémité de la couche conductrice. La zone d'isolation est adjacente à la couche d'oxyde métallique, et est positionnée entre la première couche d'isolation et la couche conductrice. En outre, la couche semi-conductrice comprend une première zone, une paire de deuxièmes zones, et une paire de troisièmes zones. La première zone chevauche la couche d'oxyde métallique et la couche conductrice. Les deuxièmes zones, entre lesquelles la première zone est interposée, chevauchent la zone d'isolation et la couche conductrice. Les troisièmes zones, entre lesquelles la première zone et la paire de deuxièmes zones sont interposées, ne chevauchent pas la couche conductrice. La troisième zone comprend de préférence une partie ayant une résistance inférieure à la première zone. La deuxième zone comprend de préférence une partie présentant une résistance supérieure à celle de la troisième zone.
(JA)
電気特性の良好な半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体層と、第1の絶縁層と、金属酸化物層と、導電層と、絶縁領域と、を有する。第1の絶縁層は、半導体層の上面及び側面を覆い、導電層は、第1の絶縁層上に位置する。金属酸化物層は、第1の絶縁層と導電層との間に位置し、金属酸化物層の端部は、導電層の端部よりも内側に位置する。絶縁領域は、金属酸化物層と隣接し、且つ第1の絶縁層と導電層との間に位置する。また、半導体層は、第1の領域と、一対の第2の領域と、一対の第3の領域と、を有する。第1の領域は、金属酸化物層及び導電層と重なる。第2の領域は、第1の領域を挟み、絶縁領域及び導電層と重なる。第3の領域は、第1の領域及び一対の第2の領域を挟み、且つ導電層と重ならない。第3の領域は、第1の領域よりも低抵抗である部分を含むことが好ましい。第2の領域は、第3の領域よりも高抵抗である部分を含むことが好ましい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報