Provided is a semiconductor device having good electrical characteristics. Provided is a semiconductor device having high reliability. Provided is a semiconductor having stable electrical characteristics. The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulation layer, a metal oxide layer, a conductive layer, and an insulation area. The first insulation layer covers the top surface and side surfaces of the semiconductor layer, and the conductive layer is positioned on the first insulation layer. The metal oxide layer is positioned between the first insulation layer and the conductive layer, and an end part of the metal oxide layer is positioned at a more inward side than an end part of the conductive layer. The insulation area is adjacent to the metal oxide layer, and is positioned between the first insulation layer and the conductive layer. In addition, the semiconductor layer includes a first area, a pair of second areas, and a pair of third areas. The first area overlaps the metal oxide layer and the conductive layer. The second areas, between which the first area is interposed, overlap the insulation area and the conductive layer. The third areas, between which the first area and the pair of the second areas are interposed, do not overlap the conductive layer. The third area preferably includes a part having lower resistance than the first area. The second area preferably includes a part having higher resistance than the third area.

La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant de bonnes caractéristiques électriques. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant une haute fiabilité. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant des caractéristiques électriques stables. Le dispositif à semi-conducteurs comprend une couche semi-conductrice, une première couche d'isolation, une couche d'oxyde métallique, une couche conductrice, et une zone d'isolation. La première couche d'isolation recouvre la surface supérieure et les surfaces latérales de la couche semi-conductrice, et la couche conductrice est positionnée sur la première couche d'isolation. La couche d'oxyde métallique est positionnée entre la première couche d'isolation et la couche conductrice, et une partie d'extrémité de la couche d'oxyde métallique est positionnée au niveau d'un côté plus à l'intérieur qu'une partie d'extrémité de la couche conductrice. La zone d'isolation est adjacente à la couche d'oxyde métallique, et est positionnée entre la première couche d'isolation et la couche conductrice. En outre, la couche semi-conductrice comprend une première zone, une paire de deuxièmes zones, et une paire de troisièmes zones. La première zone chevauche la couche d'oxyde métallique et la couche conductrice. Les deuxièmes zones, entre lesquelles la première zone est interposée, chevauchent la zone d'isolation et la couche conductrice. Les troisièmes zones, entre lesquelles la première zone et la paire de deuxièmes zones sont interposées, ne chevauchent pas la couche conductrice. La troisième zone comprend de préférence une partie ayant une résistance inférieure à la première zone. La deuxième zone comprend de préférence une partie présentant une résistance supérieure à celle de la troisième zone.

電気特性の良好な半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体層と、第１の絶縁層と、金属酸化物層と、導電層と、絶縁領域と、を有する。第１の絶縁層は、半導体層の上面及び側面を覆い、導電層は、第１の絶縁層上に位置する。金属酸化物層は、第１の絶縁層と導電層との間に位置し、金属酸化物層の端部は、導電層の端部よりも内側に位置する。絶縁領域は、金属酸化物層と隣接し、且つ第１の絶縁層と導電層との間に位置する。また、半導体層は、第１の領域と、一対の第２の領域と、一対の第３の領域と、を有する。第１の領域は、金属酸化物層及び導電層と重なる。第２の領域は、第１の領域を挟み、絶縁領域及び導電層と重なる。第３の領域は、第１の領域及び一対の第２の領域を挟み、且つ導電層と重ならない。第３の領域は、第１の領域よりも低抵抗である部分を含むことが好ましい。第２の領域は、第３の領域よりも高抵抗である部分を含むことが好ましい。