処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020085508 - 膜形成用組成物

公開番号 WO/2020/085508
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/042036
国際出願日 25.10.2019
IPC
C09D 183/08 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
Dコーティング組成物,例.ペンキ,ワニスまたはラッカー;パテ;塗料除去剤インキ消し;インキ;修正液;木材用ステイン;糊状または固形の着色料または捺染料;これらの物質の使用法
183主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づくコーティング組成物;そのような重合体の誘導体に基づくコーティング組成物
04ポリシロキサン
08炭素,水素および酸素以外の原子を含む有機基に結合したけい素を含むもの
C07F 7/18 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
7周期表の第4族または第14族の元素を含有する化合物
02ケイ素化合物
081個以上のC-Si結合をもつ化合物
181個以上のC-Si結合と1個以上のC-O-Si結合をもつ化合物
C08G 77/26 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
04ポリシロキサン
22炭素,水素および酸素以外の原子を含む有機基に結合したけい素を含むもの
26窒素含有基
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/26 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 柴山 亘 SHIBAYAMA, Wataru
  • 後藤 裕一 GOTO, Yuichi
  • 窪寺 俊 KUBODERA, Shun
  • 武田 諭 TAKEDA, Satoshi
  • 石橋 謙 ISHIBASHI, Ken
  • 中島 誠 NAKAJIMA, Makoto
代理人
  • 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE
優先権情報
2018-20223826.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM-FORMING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM
(JA) 膜形成用組成物
要約
(EN)
[Problem] To provide a film-forming composition, which is suitable as a resist underlayer film-forming composition that can be formed into a resist underlayer film having good adhesiveness to an EUV resist and a high fluoric etching rate and therefore having good etching properties. [Solution] A film-forming composition which comprises, for example, a polymer represented by formula (E1) and a solvent.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de formation de film, qui est appropriée en tant que composition de formation de film de sous-couche de réserve qui peut être formée sous forme d'un film de sous-couche de réserve ayant une bonne adhésivité à une réserve EUV et un taux de gravure au fluor élevé et ayant par conséquent de bonnes propriétés de gravure. La solution selon l'invention porte sur une composition de formation de film qui comprend, par exemple, un polymère représenté par la formule (E1) et un solvant.
(JA)
【課題】良好なEUVレジスト密着性を有するだけでなく、フッ素系エッチレートも高いため良好なエッチング加工性も有するレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物として好適な膜形成用組成物を提供すること。 【解決手段】 例えば式(E1)で表されるポリマーと、溶媒とを含む膜形成用組成物。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報