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1. WO2020085468 - 不飽和結合を有する硫黄含有フルオロカーボン化合物を含むドライエッチングガス組成物及びそれを用いたドライエッチング方法

公開番号 WO/2020/085468
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041824
国際出願日 25.10.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人
  • 関東電化工業株式会社 KANTO DENKA KOGYO CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 清水 久志 SHIMIZU, Hisashi
  • 加藤 惟人 KATO, Korehito
代理人
  • 小野 新次郎 ONO, Shinjiro
  • 山本 修 YAMAMOTO, Osamu
  • 宮前 徹 MIYAMAE, Toru
  • 中西 基晴 NAKANISHI, Motoharu
  • 松田 豊治 MATSUDA, Toyoharu
優先権情報
2018-20209126.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRY ETCHING GAS COMPOSITION INCLUDING SULFUR-CONTAINING FLUOROCARBON COMPOUND HAVING UNSATURATED BOND, AND DRY ETCHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE GAZ DE GRAVURE SÈCHE COMPRENANT UN COMPOSÉ FLUOROCARBONÉ CONTENANT DU SOUFRE AYANT UNE LIAISON INSATURÉE, ET PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE L'UTILISANT
(JA) 不飽和結合を有する硫黄含有フルオロカーボン化合物を含むドライエッチングガス組成物及びそれを用いたドライエッチング方法
要約
(EN)
Provided is a novel etching gas composition including a sulfur-containing unsaturated compound, which is useful for etching a silicon-based film laminated structure. The dry etching gas composition includes a sulfur-containing fluorocarbon compound having an unsaturated bond and represented by a general formula (1): CxFySz (where x, y and z are 2 ≤ x ≤ 5, y ≤ 2x, 1 ≤ z ≤ 2).
(FR)
L'invention concerne une nouvelle composition de gaz de gravure comprenant un composé insaturé contenant du soufre, qui est utile pour graver une structure stratifiée de film à base de silicium. La composition de gaz de gravure sèche comprend un composé fluorocarboné contenant du soufre ayant une liaison insaturée et représenté par une formule générale (1) : CxFySz (où x, y et z sont 2 ≤ x ≤ 5, y ≤ 2x, 1 ≤ z ≤ 2).
(JA)
硫黄含有不飽和化合物を含む、シリコン系膜の積層構造体のエッチング用途に有用な新規なエッチングガス組成物を提供すること。 一般式(1):CxFySz(式中、x、y及びzは、2≦x≦5、y≦2x、1≦z≦2)で表され、不飽和結合を有している硫黄含有フルオロカーボン化合物を含むドライエッチングガス組成物。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報