処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020085397 - 発光素子および発光装置

公開番号 WO/2020/085397
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041568
国際出願日 23.10.2019
IPC
H01S 5/183 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
10光共振器の構造または形状
18表面放出型レーザ[7]
183垂直共振器を有するもの[7]
CPC
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 杉山 貴浩 SUGIYAMA Takahiro
  • 渡邉 明佳 WATANABE Akiyoshi
  • 宮地 宏樹 MIYACHI Hiroki
  • 加城 諒一 KASHIRO Ryoichi
  • 神崎 武司 KANZAKI Takeshi
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-20103925.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENTS
(JA) 発光素子および発光装置
要約
(EN)
An embodiment of the present invention relates to a light-emitting element, for example, provided with a layer forming a resonance mode. The light-emitting element is provided with a structure composed of a substrate and a semiconductor stacked body. The semiconductor stacked body includes a first cladding layer, a second cladding layer, an activation layer, and a resonance mode forming layer. The resonance mode forming layer includes a fundamental layer and a plurality of different refractive index regions. A laser light output region is disposed on one surface of the structure, and a metal electrode film is disposed on the other surface thereof. The metal electrode film includes a first layer that constitutes an ohmic contact with respect to the structure, a second layer and a third layer for reflecting light from the resonance mode forming layer, and a fourth layer for solder bonding. The third layer has a composition different from the compositions of the second layer and the fourth layer, and, with respect to solder material diffusion degree, has a diffusion degree lower than that of the second layer and the fourth layer.
(FR)
Un mode de réalisation de la présente invention concerne un élément électroluminescent, par exemple comprenant une couche formant un mode de résonance. L'élément électroluminescent comporte une structure composée d'un substrat et d'un corps empilé semi-conducteur. Le corps empilé de semi-conducteur comprend une première couche de gainage, une seconde couche de gainage, une couche d'activation et une couche de formation de mode de résonance. La couche de formation de mode de résonance comprend une couche fondamentale et une pluralité de régions à indices de réfraction différents. Une région de sortie de lumière laser est disposée sur une surface de la structure, et un film d'électrode métallique est disposé sur l'autre surface de celle-ci. Le film d'électrode métallique comprend une première couche qui constitue un contact ohmique par rapport à la structure, une deuxième couche et une troisième couche pour réfléchir la lumière provenant de la couche de formation de mode de résonance, et une quatrième couche pour la liaison par soudure. La troisième couche a une composition différente des compositions de la deuxième couche et de la quatrième couche, et, par rapport au degré de diffusion de matériau de soudure, a un degré de diffusion inférieur à celui de la deuxième couche et de la quatrième couche.
(JA)
本発明の一態様は、共振モードを形成する層を備える発光素子等に関する。当該発光素子は、基板と、半導体積層体で構成された構造体を備え、半導体積層体は、第1クラッド層、第2クラッド層、活性層、および、共振モード形成層、を含む。共振モード形成層は、基本層と、複数の異屈折率領域と、を含む。構造体の一方の面には、レーザ光出力領域が設けられ、他方の面には金属電極膜が設けられている。金属電極膜は、構造体に対してオーミック接触を構成する第1層と、共振モード形成層からの光を反射する第2層と、第3層と、はんだ接合用の第4層と、を含む。第3層は、第2層および第4層の組成とは異なる組成を有し、かつ、はんだ材料の拡散度合いに関して第2層および第4層よりも低い拡散度合いを有する。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報