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1. WO2020085377 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/085377
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041515
国際出願日 23.10.2019
IPC
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 呉 小鵬 Wu Xiaopeng
代理人
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
優先権情報
2018-19993024.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
A semiconductor device according to the present invention is provided with a support member, a conductive member, and a semiconductor element. The support member has a support surface oriented in a thickness direction. The conductive member has a principal surface oriented towards the same side as the support surface and a back surface oriented towards the opposite side to the principal surface in the thickness direction. The conductive member is bonded to the support member so that the back surface faces the support surface. The semiconductor element is bonded to the principal surface. The semiconductor device is further provided with a first metal layer and a second metal layer. The first metal layer covers at least a portion of the support surface. The second metal layer covers the back surface. The first metal layer and the second metal layer are bonded to each other by solid phase diffusion.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs pourvu d'un élément de support, d'un élément conducteur et d'un élément semi-conducteur. L'élément de support présente une surface de support orientée dans une direction d'épaisseur. L'élément conducteur comprend une surface principale orientée vers le même côté que la surface de support et une surface arrière orientée vers le côté en regard de la surface principale dans la direction de l'épaisseur. L'élément conducteur est lié à l'élément de support de telle sorte que la surface arrière fasse face à la surface de support. L'élément semi-conducteur est lié à la surface principale. Le dispositif à semi-conducteurs est en outre pourvu d'une première couche métallique et d'une seconde couche métallique. La première couche métallique recouvre au moins une partie de la surface de support. La seconde couche métallique recouvre la surface arrière. La première couche métallique et la seconde couche métallique sont liées l'une à l'autre par diffusion en phase solide.
(JA)
半導体装置は、支持部材、導電部材および半導体素子を備える。前記支持部材は、厚さ方向を向く支持面を有する。前記導電部材は、前記厚さ方向において前記支持面と同じ側を向く主面と、前記主面とは反対側を向く裏面と、を有する。前記導電部材は、前記裏面が前記支持面に対向するように前記支持部材に接合されている。前記半導体素子は、前記主面に接合されている。前記半導体装置は、第1金属層および第2金属層をさらに備える。前記第1金属層は、前記支持面の少なくとも一部を覆っている。前記第2金属層は、前記裏面を覆っている。前記第1金属層と前記第2金属層とが固相拡散により互いに接合されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報