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1. WO2020085342 - 導電性ポリマー材料及びその製造方法、高分子膜及びその製造方法、導電性高分子膜、光電変換素子並びに電界効果トランジスタ

公開番号 WO/2020/085342
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041411
国際出願日 21.10.2019
IPC
C08J 7/02 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
J仕上げ;一般的混合方法;サブクラスC08B,C08C,C08F,C08GまたはC08Hに包含されない後処理(プラスチックの加工,例.成形B29)
7高分子物質から製造された成形体の処理または被覆
02溶媒,例.膨潤剤,を使用するもの
H01L 35/24 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
12接合の脚部材料の選択
24有機組成物を用いるもの
H01B 1/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
1導電材料によって特徴づけられる導体または導電物体;導体としての材料の選択
06主として他の非金属物質からなるもの
12有機物質
H01B 13/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13導体またはケーブルの製造に特に適合した装置または方法
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 51/40 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
C08J 7/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G
7Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
02with solvents, e.g. swelling agents
H01B 1/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
06mainly consisting of other non-metallic substances
12organic substances
H01B 13/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
13Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 29/417
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
出願人
  • 国立大学法人東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP]/[JP]
発明者
  • 竹谷 純一 TAKEYA Junichi
  • 渡邉 峻一郎 WATANABE Shunichiro
  • 山下 侑 YAMASHITA Yu
代理人
  • 特許業務法人ドライト国際特許事務所 DORAIT IP LAW FIRM
優先権情報
2018-19879422.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME, POLYMER FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME, ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER FILM, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) MATÉRIAU POLYMÈRE ÉLECTROCONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION, FILM POLYMÈRE ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION, FILM POLYMÈRE ÉLECTROCONDUCTEUR, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 導電性ポリマー材料及びその製造方法、高分子膜及びその製造方法、導電性高分子膜、光電変換素子並びに電界効果トランジスタ
要約
(EN)
Provided are: an electrically conductive polymer material that contributes to an improvement in the electrical conductivity of electrically conductive polymer materials, and a method for producing same; a polymer film and a method for producing same; an electrically conductive polymer film; a photoelectric conversion element; and a field effect transistor. When carrying out doping, a polymer film 27 is immersed in a treatment liquid 40 obtained by dissolving, in an ionic liquid of a salt constituted from a spectator ion and an alternative ion, an initiator dopant having the same polarity as the alternative ion. As a result of a redox reaction, a polymer semiconductor and the initiator dopant in the polymer film 27 form an ion pair that is an intermediate. Because the alternative ion, which has a high concentration and which readily forms a pair chemically with the polymer semiconductor, is present in the treatment liquid 40, exchange occurs between the ionized initiator dopant and the alternative ion, and energy gain derived from this ion exchange contributes to acceleration of doping.
(FR)
L'invention concerne : un matériau polymère électroconducteur qui contribue à une amélioration de la conductivité électrique de matériaux polymères électroconducteurs et un procédé pour sa production ; un film polymère et un procédé pour sa production ; un film polymère électroconducteur ; un élément de conversion photoélectrique ; et un transistor à effet de champ. Lors de la réalisation d'un dopage, un film polymère 27 est immergé dans un liquide de traitement 40 obtenu par dissolution, dans un liquide ionique d'un sel constitué d'un ion spectateur et d'un autre ion, d'un dopant initiateur présentant la même polarité que l'autre ion. Suite à une réaction d'oxydoréduction, un semi-conducteur polymère et le dopant initiateur dans le film polymère 27 forment une paire d'ions qui est un intermédiaire. Étant donné que l'autre ion, qui présente une concentration élevée et qui forme facilement une paire chimiquement avec le semi-conducteur polymère, est présent dans le liquide de traitement 40, l'échange se produit entre le dopant initiateur ionisé et l'autre ion et le gain énergétique issu de cet échange ionique contribue à l'accélération du dopage.
(JA)
導電性ポリマー材料の導電性の向上に資する導電性ポリマー材料及びその製造方法、高分子膜及びその製造方法、導電性高分子膜、光電変換素子並びに電界効果トランジスタを提供する。ドーピングする際には、スペクテータイオン、オルタナティブイオンから構成される塩のイオン液体に、オルタナティブイオンと同じ極性となるイニシエータードーパントを溶解した処理液40に高分子膜27を浸漬する。酸化還元反応により、高分子膜27の高分子半導体とイニシエータードーパントが中間体であるイオン対を形成する。高分子半導体と化学的に対を形成しやすいまたは濃度が高いオルタナティブイオンが処理液40中に存在することにより、イオン化したイニシエータードーパントとオルタナティブイオンとの置換が生じ、このイオン交換によるエネルギー利得がドーピングの促進に寄与する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報