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1. WO2020085215 - 成膜装置および成膜方法

公開番号 WO/2020/085215
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040976
国際出願日 17.10.2019
IPC
C23C 16/52 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
52被覆工程の制御または調整
C23C 16/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34窒化物
C23C 16/40 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C23C 16/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 加賀谷 宗仁 KAGAYA, Munehito
  • 鈴木 悠介 SUZUKI, Yusuke
  • 岩下 伸也 IWASHITA, Shinya
  • 光成 正 MITSUNARI, Tadashi
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-19933323.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM FORMATION DEVICE AND FILM FORMATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置および成膜方法
要約
(EN)
In the present invention, when plasma is generated to form a film by alternately supplying a titanium-containing gas and oxidizing gas, or a silicon-containing gas and a nitriding gas from a gas supply unit, and supplying high-frequency electricity from a power source to a first electrode and a second electrode in accordance with the supply of the oxidizing gas or the nitriding gas, the power of high-frequency electricity fed to the first electrode and the second electrode is controlled.
(FR)
Dans la présente invention, lorsque le plasma est généré pour former un film en fournissant en alternance un gaz contenant du titane et un gaz oxydant, ou un gaz contenant du silicium et un gaz de nitruration provenant d'une unité d'alimentation en gaz, et fournir de l'électricité haute fréquence à partir d'une source d'alimentation à une première électrode et à une seconde électrode en fonction de l'alimentation du gaz oxydant ou du gaz de nitruration, la puissance d'électricité haute fréquence fournie à la première électrode et à la seconde électrode est commandée.
(JA)
ガス供給部からチタン含有ガスと酸化ガス、または、シリコン含有ガスと窒化ガスを交互に供給し、酸化ガスまたは窒化ガスの供給に合わせて電源から第1電極および第2電極に高周波電力を供給してプラズマを生成して成膜を行う際に、第1電極および第2電極に供給される高周波電力のパワーを制御する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報