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1. WO2020084973 - 撮像装置

公開番号 WO/2020/084973
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036933
国際出願日 20.09.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
G02B 7/02 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
7光学要素用のマウント,調節手段,または光密結合
02レンズ用
G03B 11/00 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
B写真を撮影するためのまたは写真を投影もしくは直視するための装置または配置;光波以外の波を用いる類似技術を用いる装置または配置;そのための付属品
11特に写真用として使われるフィルターまたはその他の遮光物
G03B 17/02 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
B写真を撮影するためのまたは写真を投影もしくは直視するための装置または配置;光波以外の波を用いる類似技術を用いる装置または配置;そのための付属品
17カメラまたはカメラ本体の細部;その付属品
02本体
H04N 5/225 2006.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
222スタジオ回路;スタジオ装置;スタジオ機器
225テレビジョンカメラ
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 木村 勝治 KIMURA, Katsuji
  • 関 大一 SEKI, Hirokazu
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-20040124.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'IMAGE
(JA) 撮像装置
要約
(EN)
This image processing device comprises: a solid-state image pickup element (11) in which a light receiving surface is formed by arraying light receiving elements in a two-dimensional lattice shape; a glass substrate (20) provided to the light receiving surface of the solid-state image pickup element; and an infrared radiation reduction filter (22) that is provided facing, via a cavity layer (23), a second surface of the glass substrate which is the surface opposite a first surface of the glass substrate facing the light receiving surface.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement d'image comprenant : un élément de capture d'image à semi-conducteur (11) dans lequel une surface de réception de lumière est formée par agencement d'éléments de réception de lumière dans une forme de réseau bidimensionnelle ; un substrat en verre (20) disposé sur la surface de réception de lumière de l'élément de capture d'image à semi-conducteur ; et un filtre de réduction de rayonnement infrarouge (22) qui est disposé en regard, par l'intermédiaire d'une couche de cavité (23), une seconde surface du substrat en verre qui est la surface opposée à une première surface du substrat en verre faisant face à la surface de réception de lumière.
(JA)
撮像装置は、受光素子が2次元格子状に配列されて受光面が形成される固体撮像素子(11)と、固体撮像素子の受光面に配置されるガラス基板(20)と、ガラス基板の、受光面の側に向いた第1の面と反対側の第2の面に対してキャビティ層(23)を介して配置される赤外線カットフィルタ(22)と、を備える。
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