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1. WO2020084953 - 磁気センサ

公開番号 WO/2020/084953
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036013
国際出願日 13.09.2019
IPC
G01R 33/02 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
33磁気的変量を測定する計器または装置
02磁界または磁束の方向または大きさの測定
G01R 33/09 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
33磁気的変量を測定する計器または装置
02磁界または磁束の方向または大きさの測定
06電流磁気装置を使用するもの
09磁気抵抗装置を使用するもの
H01L 43/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02細部
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
出願人
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 福井 崇人 FUKUI Takato
  • 笠島 多聞 KASAJIMA Tamon
代理人
  • 鷲頭 光宏 WASHIZU Mitsuhiro
  • 緒方 和文 OGATA Kazufumi
優先権情報
2018-19919523.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETIC SENSOR
(FR) CAPTEUR MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気センサ
要約
(EN)
[Problem] The objective of the present invention is to provide a magnetic sensor with which it is possible to reduce 1/f noise by causing a magnetic path to be displaced mechanically, without using a MEMS structure requiring high-temperature processing. [Solution] A magnetic sensor according to the present invention is provided with: magnetic layers M11, M21; a sensor chip 10 including a magnetosensitive element R1 provided on a magnetic path formed by means of a magnetic gap G1 between the magnetic layers M11, M21; and a mechanical drive portion 30 bonded to the sensor chip 10 by way of a bonding agent 50. The mechanical drive portion 30 includes a fixed region 30a fixed to the sensor chip by way of the bonding agent 50, and a displacement region 30b which is displaced by means of the application of a drive voltage. According to the present invention, since the construction is such that the mechanical drive portion is fixed to the sensor chip by means of the bonding agent, it is not necessary to carry out high-temperature processing after the magnetosensitive element has been formed. A reduction in 1/f noise can therefore be achieved while preventing a deterioration in the characteristics of the magnetosensitive element as a result of high-temperature processing.
(FR)
L'objectif de la présente invention est de proposer un capteur magnétique avec lequel il est possible de réduire le bruit de 1/f par le déplacement mécanique d'un trajet magnétique, sans utiliser de structure à MEMS nécessitant un traitement à haute température. Pour ce faire, l'invention concerne un capteur magnétique comprenant : des couches magnétiques M11, M21; une puce de capteur 10 comprenant un élément magnétosensible R1 disposé sur un trajet magnétique formé au moyen d'un entrefer magnétique G1 entre les couches magnétiques M11, M21; et une partie d'entraînement mécanique 30 liée à la puce de capteur 10 au moyen d'un agent de liaison 50. La partie d'entraînement mécanique 30 comprend une région fixe 30a fixée à la puce de capteur au moyen de l'agent de liaison 50, et une région de déplacement 30b qui est déplacée au moyen de l'application d'une tension d'entraînement. Selon la présente invention, étant donné que la construction est telle que la partie d'entraînement mécanique est fixée à la puce de capteur au moyen de l'agent de liaison, il n'est pas nécessaire de réaliser un traitement à haute température après que l'élément magnétosensible a été formé. Une réduction du bruit de 1/f peut donc être obtenue tout en évitant une détérioration des caractéristiques de l'élément magnétosensible à cause d'un traitement à haute température.
(JA)
【課題】高温プロセスが必要なMEMS構造を用いることなく、磁路を機械的に変位させることによって1/fノイズを低減することが可能な磁気センサを提供する。 【解決手段】本発明による磁気センサは、磁性体層M11,M21と、磁性体層M11,M21間の磁気ギャップG1によって形成される磁路上に設けられた感磁素子R1を含むセンサチップ10と、接着剤50を介してセンサチップ10に接着された機械的駆動部30とを備える。機械的駆動部30は、接着剤50を介してセンサチップに固定された固定領域30aと、駆動電圧を印加することにより変位する変位領域30bとを有する。本発明によれば、接着剤によって機械的駆動部をセンサチップに固定した構造を有していることから、感磁素子を形成した後に高温プロセスを行う必要がない。このため、高温プロセスによる感磁素子の特性劣化を防止しつつ、1/fノイズを低減することが可能となる。
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