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1. WO2020084944 - 基板処理装置および基板処理方法

公開番号 WO/2020/084944
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035767
国際出願日 11.09.2019
IPC
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 井上 正史 INOUE Masafumi
  • 深津 英司 FUKATSU Eiji
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2018-19845222.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約
(EN)
The present invention provides a technology for suitably performing etching treatment of a substrate. A substrate holding stage 20 holds a substrate W at a predetermined position. An etching solution supply unit 37 and a nozzle 30 supply an etching solution to the substrate W at the predetermined position. A spin motor 22 rotates the substrate holding stage 20 around a predetermined rotation axis Ax1. A thermography camera 70 acquires a thermography (temperature distribution) of a peripheral area PA1 around a substrate area which the substrate W occupies when being disposed at the predetermined position in a treatment space TS1 inside a chamber 10. A feature value calculation unit 902 calculates, from the thermography, a feature value relating to the amount of etching by etching treatment using the etching solution. An etching determination unit 9031 determines the propriety of the etching treatment on the basis of the calculated feature value.
(FR)
La présente invention concerne une technologie pour effectuer de manière appropriée un traitement de gravure d'un substrat. Un étage de maintien de substrat 20 maintient un substrat W à une position prédéterminée. Une unité d'alimentation en solution de gravure 37 et une buse 30 fournissent une solution de gravure au substrat W à la position prédéterminée. Un moteur de rotation 22 fait tourner l'étage de maintien de substrat 20 autour d'un axe de rotation prédéterminé Ax1. Une caméra de thermographie 70 acquiert une thermographie (distribution de température) d'une zone périphérique PA1 autour d'une zone de substrat que le substrat W occupe lorsqu'elle est disposée à la position prédéterminée dans un espace de traitement TS1 à l'intérieur d'une chambre 10. Une unité de calcul de valeur de caractéristique 902 calcule, à partir de la thermographie, une valeur de caractéristique relative à la quantité de gravure par traitement de gravure à l'aide de la solution de gravure. Une unité de détermination de gravure 9031 détermine la propriété du traitement de gravure sur la base de la valeur de caractéristique calculée.
(JA)
基板のエッチング処理を好適に行う技術を提供する。基板保持ステージ20は既定位置に基板Wを保持する。エッチング液供給部37およびノズル30は、既定位置の基板Wにエッチング液を供給する。スピンモータ22は基板保持ステージ20を既定の回転軸線Ax1まわりに回転させる。サーモグラフィカメラ70は、チャンバ10内の処理空間TS1のうち、既定位置に配された場合に基板Wが占有する基板領域の周りの周辺領域PA1のサーモグラフィ(温度分布)を取得する。特徴値演算部902は、サーモグラフィから、エッチング液を用いたエッチング処理によるエッチング量に関する特徴値を算出する。エッチング判定部9031は、算出された特徴値に基づいて、エッチング処理の可否を判定する。
他の公開
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