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1. WO2020084942 - 発光素子及びその製造方法

公開番号 WO/2020/084942
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035711
国際出願日 11.09.2019
IPC
H01S 5/183 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
10光共振器の構造または形状
18表面放出型レーザ[7]
183垂直共振器を有するもの[7]
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 田中 雅之 TANAKA Masayuki
  • 藤井 賢太郎 FUJII Kentaro
  • 濱口 達史 HAMAGUCHI Tatsushi
  • 幸田 倫太郎 KODA Rintaro
代理人
  • 山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa
  • 吉井 正明 YOSHII Masaaki
優先権情報
2018-20154926.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 発光素子及びその製造方法
要約
(EN)
In the present invention, a semiconductor device comprises: a layered structure 20 in which a first compound semiconductor layer 21, an active layer 23 and a second compound semiconductor layer 22 are layered; a substrate 11; a first light-reflecting layer 41 disposed on a first surface side of the first compound semiconductor layer 21; and a second light-reflecting layer 42 disposed on a second surface side of the second semiconductor layer 22. The second light-reflecting layer 42 has a flat shape. A recessed surface section 12 is formed on a substrate surface 11b. The first light-reflecting layer 41 is formed at least on the recessed surface section 12. The first compound semiconductor layer 21 is formed over the recessed surface section 12 extending from the substrate surface 11b. A cavity is formed, above the recessed surface section 12, between the first light-reflecting layer 41 and the first compound semiconductor layer 21.
(FR)
Dans la présente invention, un dispositif à semi-conducteur comprend : une structure stratifiée 20 dans laquelle une première couche semi-conductrice composite 21, une couche active 23 et une seconde couche semi-conductrice composite 22 sont stratifiées ; un substrat 11 ; une première couche de réflexion de lumière 41 disposée sur un premier côté de surface de la première couche semi-conductrice composite 21 ; et une seconde couche réfléchissant la lumière 42 disposée sur un second côté de surface de la seconde couche semi-conductrice 22. La seconde couche réfléchissant la lumière 42 a une forme plate. Une section de surface évidée 12 est formée sur une surface de substrat 11b. La première couche réfléchissant la lumière 41 est formée au moins sur la section de surface évidée 12. La première couche semi-conductrice composite 21 est formée sur la section de surface évidée 12 s'étendant à partir de la surface de substrat 11b. Une cavité est formée, au-dessus de la section de surface évidée 12, entre la première couche réfléchissant la lumière 41 et la première couche semi-conductrice composite 21.
(JA)
半導体装置は、第1化合物半導体層21、活性層23及び第2化合物半導体層22が積層された積層構造体20、基板11、第1化合物半導体層21の第1面側に配設された第1光反射層41、並びに、第2化合物半導体層22の第2面側に配設された第2光反射層42を備えており、第2光反射層42は平坦な形状を有し、基板表面11bには凹面部12が形成されており、第1光反射層41は少なくとも凹面部12上に形成されており、第1化合物半導体層21は基板表面11bから凹面部12上方に亙り形成されており、凹面部12上に形成された第1光反射層41と第1化合物半導体層21との間は空洞である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報