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1. WO2020084687 - 半導体光集積素子

公開番号 WO/2020/084687
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/039350
国際出願日 23.10.2018
IPC
H01S 5/22 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
20半導体本体の光を導波する構造または形状
22リッジまたはストライプ構造を有するもの
H01S 5/026 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
H01S 5/40 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
40H01S5/02~H01S5/30に分類されない2個以上の半導体レーザの配列
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中村 直幹 NAKAMURA Naoki
  • 八木 哲哉 YAGI Tetsuya
代理人
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光集積素子
要約
(EN)
This semiconductor integrated optical device is provided with a p-type AlInAs layer (102) which is formed on the surface of an Fe-doped semi-insulating InP substrate (101) by epitaxially growing a material that has a wider band gap than the Fe-doped semi-insulating InP substrate (101), and multiple semiconductor laser devices (120) which are formed on the surface of the p-type AlInAs layer (102) and which are arranged in a row separated by isolation grooves (110) which reach the p-type AlInAs layer (102). This semiconductor integrated optical device suppresses absorption loss of light and leakage current through the substrate, ensures isolation, and enables achieving a structure suitable for device manufacture.
(FR)
Ce dispositif optique intégré à semi-conducteur est pourvu d'une couche d'AlInAs de type p (102) qui est formée sur la surface d'un substrat InP semi-isolant dopé au Fe (101) par croissance épitaxiale d'un matériau qui a une bande interdite plus large que le substrat InP semi-isolant dopé au Fe (101), et de multiples dispositifs laser à semi-conducteur (120) qui sont formés sur la surface de la couche d'AlInAs de type p (102) et qui sont agencés dans une rangée séparée par des rainures d'isolation (110) qui atteignent la couche d'AlInAs de type p (102). Ce dispositif optique intégré à semi-conducteur supprime la perte d'absorption de lumière et de courant de fuite à travers le substrat, assure l'isolation et permet d'obtenir une structure appropriée pour la fabrication de dispositif.
(JA)
Feドープ半絶縁性InP基板(101)の表面に、Feドープ半絶縁性InP基板(101)よりもバンドギャップが広い材料をエピタキシャル成長させたp型AlInAs層(102)と、p型AlInAs層(102)の表面に形成され、p型AlInAs層(102)に達するアイソレーション溝(110)を挟んで列状に配列して構成された複数の半導体レーザ素子(120)とを備え、基板を介した漏れ電流および光の吸収損失を抑制し、アイソレーションを確保するとともに、素子を製造するに適した構造を実現する。
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