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1. WO2020084685 - レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/084685
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/039341
国際出願日 23.10.2018
IPC
H01S 3/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
3レーザ,すなわち赤外線,可視光または紫外線領域での電磁放射の誘導放出を用いた装置
10放出された放射線の強度,周波数,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲート,変調または復調
H01S 3/067 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
3レーザ,すなわち赤外線,可視光または紫外線領域での電磁放射の誘導放出を用いた装置
05光学的な共振器の構造または形状;活性媒質の調整;活性媒質の形状
06活性媒質の構造または形状
063導波路型レーザ,例.レーザ増幅器
067ファイバ型レーザ
H01S 3/0941 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
3レーザ,すなわち赤外線,可視光または紫外線領域での電磁放射の誘導放出を用いた装置
09励起方法またはその装置,例.ポンピング
091光学的ポンピングを用いるもの
094コヒーレント光によるもの
0941半導体レーザーの,例.レーザーダイオードの
H01S 3/225 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
3レーザ,すなわち赤外線,可視光または紫外線領域での電磁放射の誘導放出を用いた装置
14活性媒質として使用する物質に特徴のあるもの
22ガス
223活性ガスが多原子,すなわち2個以上の原子を含むもの
225エキシマまたはエキシプレックスからなるもの
H01S 5/40 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
40H01S5/02~H01S5/30に分類されない2個以上の半導体レーザの配列
CPC
H01S 3/067
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
06Construction or shape of active medium
063Waveguide lasers, ; i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
067Fibre lasers
H01S 3/0941
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
091using optical pumping
094by coherent light
0941of a laser diode
H01S 3/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
H01S 3/225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
14characterised by the material used as the active medium
22Gases
223the active gas being polyatomic, i.e. containing more than one atom
225comprising an excimer or exciplex
H01S 5/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
出願人
  • ギガフォトン株式会社 GIGAPHOTON INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 三浦 泰祐 MIURA, Taisuke
  • 若林 理 WAKABAYASHI, Osamu
代理人
  • 松浦 憲三 MATSUURA, Kenzo
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER SYSTEM, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) SYSTÈME LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法
要約
(EN)
A laser system according to one aspect of the present disclosure includes a first solid-state laser device, a wavelength conversion system, an excimer amplifier, and a control unit. The first solid-state laser device includes a first multiple semiconductor laser system, a first semiconductor optical amplifier, and a first fiber amplifier. The first multiple semiconductor laser system includes: a first plurality of semiconductor lasers that are single longitudinal mode lasers and are operated in continuous wave mode, with each semiconductor laser having a different wavelength; a first spectrum monitor; and a first beam combiner. The control unit controls the oscillation wavelength and light intensity of each line of a first multiline spectrum generated by the first plurality of semiconductor lasers so as to obtain an excimer laser beam having at least a target central wavelength or a target spectral linewidth commanded by an external device.
(FR)
Un système laser selon un aspect de la présente invention comprend un premier dispositif laser à semi-conducteur, un système de conversion de longueur d'onde, un amplificateur à excimères et une unité de commande. Le premier dispositif laser à semi-conducteur comprend un premier système laser à semi-conducteur multiples, un premier amplificateur optique à semi-conducteur et un premier amplificateur à fibre. Le premier système laser à semi-conducteur multiples comprend : une première pluralité de lasers à semi-conducteur qui sont des lasers à mode longitudinal unique et qui sont actionnés en mode d'onde continue, chaque laser à semi-conducteur ayant une longueur d'onde différente ; un premier dispositif de surveillance de spectre ; et un premier combinateur de faisceau. L'unité de commande commande la longueur d'onde d'oscillation et l'intensité lumineuse de chaque ligne d'un premier spectre multiligne généré par la première pluralité de lasers à semi-conducteur de façon à obtenir un faisceau laser à excimères ayant au moins une longueur d'onde centrale cible ou une largeur de raie spectrale cible commandée par un dispositif externe.
(JA)
本開示の一観点に係るレーザシステムは、第1の固体レーザ装置と、波長変換システムと、エキシマ増幅器と、制御部と、を含み、第1の固体レーザ装置は、第1の複数半導体レーザシステムと、第1の半導体光増幅器と、第1のファイバ増幅器と、を含む。第1の複数半導体レーザシステムは、互いに異なる波長、かつ、シングル縦モード、かつ、連続波発振する第1の複数の半導体レーザと、第1のスペクトルモニタと、第1のビームコンバイナと、を含み、制御部は、外部装置から指令される少なくとも目標中心波長又は目標スペクトル線幅のエキシマレーザ光が得られるように、第1の複数の半導体レーザによって生成される第1のマルチラインスペクトルの各ラインの発振波長及び光強度を制御する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報