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1. WO2020084415 - 半導体装置、および半導体装置の作製方法

公開番号 WO/2020/084415
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/058888
国際出願日 18.10.2019
IPC
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/318 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
318窒化物からなるもの
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 21/8242 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
CPC
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山崎 舜平 YAMAZAKI, Shunpei
  • 高橋 絵里香 TAKAHASHI, Erika
  • 福島 邦宏 FUKUSHIMA, Kunihiro
  • 栃林 克明 TOCHIBAYASHI, Katsuaki
  • 方堂 涼太 HODO, Ryota
優先権情報
2018-20165626.10.2018JP
2018-21930222.11.2018JP
2019-01080925.01.2019JP
2019-10213231.05.2019JP
2019-10984212.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の作製方法
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device having good reliability. In the semiconductor device, an oxide semiconductor is formed, a first insulator is formed in contact with the oxide semiconductor, a second insulator is formed on the first insulator, a third insulator is formed on the second insulator, openings are formed in the third insulator, the second insulator, and the first insulator, the interiors of the openings are cleaned, a conductor is embedded within the cleaned openings, the first insulator is formed so as to include an excess oxygen region, the second insulator is formed so as to have higher barrier properties with respect to oxygen, hydrogen, or water than the first insulator, and the openings are machined into a cylindrical or inverted conical shape.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur de bonne fiabilité. Dans le dispositif à semi-conducteur, un semi-conducteur à oxyde est formé, un premier isolant est formé en contact avec le semi-conducteur à oxyde, un deuxième isolant est formé sur le premier isolant, un troisième isolant est formé sur le deuxième isolant, des ouvertures sont formées dans le troisième isolant, le deuxième isolant et le premier isolant, les intérieurs des ouvertures sont nettoyés, un conducteur est intégré à l'intérieur des ouvertures nettoyées, le premier isolant est formé de manière à comprendre une région d'oxygène en excès, le deuxième isolant est formé de manière à avoir des propriétés de barrière supérieures par rapport à l'oxygène, de l'hydrogène ou de l'eau que le premier isolant, et les ouvertures sont usinées selon une forme conique ou conique inversée.
(JA)
信頼性が良好な半導体装置を提供する。酸化物半導体を形成し、酸化物半導体に接する第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体上に、第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体上に、第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体、第2の絶縁体、および第1の絶縁体に、開口部を形成し、開口部内を洗浄し、洗浄された開口部内に導電体を埋め込み、第1の絶縁体は、過剰酸素領域を含むように形成され、第2の絶縁体は、第1の絶縁体よりも、酸素、水素、または水に対する高いバリア性を有するように形成され、開口部は、円柱、または逆円錐の形状になるように加工する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報