処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020084406 - 半導体装置、および半導体装置の作製方法

公開番号 WO/2020/084406
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/058842
国際出願日 17.10.2019
IPC
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 21/8242 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 27/108 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
108ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H01L 27/1156 2017.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
112リードオンリーメモリ構造
115電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ;そのための多段階製造工程
11517フローティングゲートを有するもの
1156フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山崎 舜平 YAMAZAKI, Shunpei
  • 神保 安弘 JINBO, Yasuhiro
  • 石川 純 ISHIKAWA, Jun
  • 手塚 祐朗 TEZUKA, Sachiaki
  • 掛端 哲弥 KAKEHATA, Tetsuya
優先権情報
2018-20192826.10.2018JP
2018-20193026.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の作製方法
要約
(EN)
Provided is a semiconductor having good electrical characteristics. The semiconductor device comprises: a first oxide; a first conductor and a second conductor on the first oxide; a first insulator on the first conductor; a second insulator on the second conductor; a third insulator on the first insulator and the second insulator; a second oxide arranged on the first oxide between the first conductor and the second conductor; a fourth insulator on the second oxide; a third conductor on the fourth insulator; a fifth insulator in contact with the top surface of the third insulator, the top surface of the second oxide, the top surface of the fourth insulator, and the top surface of the third conductor; a fourth conductor in contact with the first conductor and embedded in openings formed in the first insulator, the third insulator, and the fifth insulator; and a fifth conductor in contact with the second conductor and embedded in openings formed in the second insulator, the third insulator, and the fifth insulator. The third insulator has regions in which the nitrogen concentration is higher than in other regions of said third insulator in the vicinity of the interface with the fourth conductor and in the vicinity of the interface with the fifth conductor.
(FR)
L'invention concerne un semi-conducteur ayant de bonnes caractéristiques électriques. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un premier oxyde ; un premier conducteur et un deuxième conducteur sur le premier oxyde ; un premier isolant sur le premier conducteur ; un deuxième isolant sur le deuxième conducteur ; un troisième isolant sur le premier isolant et le deuxième isolant ; un second oxyde disposé sur le premier oxyde entre le premier conducteur et le deuxième conducteur ; un quatrième isolant sur le second oxyde ; un troisième conducteur sur le quatrième isolant ; un cinquième isolant en contact avec la surface supérieure du troisième isolant, la surface supérieure du second oxyde, la surface supérieure du quatrième isolant, et la surface supérieure du troisième conducteur ; un quatrième conducteur en contact avec le premier conducteur et intégré dans des ouvertures formées dans le premier isolant, le troisième isolant et le cinquième isolant ; et un cinquième conducteur en contact avec le deuxième conducteur et noyé dans des ouvertures formées dans le deuxième isolant, le troisième isolant et le cinquième isolant. Le troisième isolant présente des régions dans lesquelles la concentration en azote est plus élevée que dans d'autres régions dudit troisième isolant au voisinage de l'interface avec le quatrième conducteur et au voisinage de l'interface avec le cinquième conducteur.
(JA)
良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。第1の酸化物と、第1の酸化物上の第1の導電体および第2の導電体と、第1の導電体上の第1の絶縁体と、第2の導電体上の第2の絶縁体と、第1の絶縁体および第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、第1の酸化物上で、第1の導電体と第2の導電体の間に配置される第2の酸化物と、第2の酸化物上の第4の絶縁体と、第4の絶縁体上の第3の導電体と、第3の絶縁体の上面、第2の酸化物の上面、第4の絶縁体の上面、および第3の導電体の上面に接する、第5の絶縁体と、第1の絶縁体、第3の絶縁体、第5の絶縁体に形成された開口に埋め込まれ、第1の導電体に接する、第4の導電体と、第2の絶縁体、第3の絶縁体、第5の絶縁体に形成された開口に埋め込まれ、第2の導電体に接する、第5の導電体と、を有し、第3の絶縁体は、第4の導電体との界面近傍、および第5の導電体との界面近傍に、第3の絶縁体の他の領域より窒素濃度が高い領域を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報